國產功率半導體彎道超車，華微電子引領發展新趨勢
功率半導體是電力轉換的重要器件，被廣泛的應用於光伏逆變器、變頻家電、消費電子等領域。而且隨着社會的發展，功率半導體器件需求量持續飆升，國產替代呼聲日益高漲，在市場的帶動下，我國功率半導體器件有望彎道超車，接下來華微電子將積極佈局中高端領域，引領行業快速發展。
在過去的兩年，受益於整個半導體行業宏觀政策利好，資本市場追捧，地方積極推進，企業廣泛進入等因素，第三代半導體產業穩步發展，涌現了第三代半導體材料投資熱潮。
不過第三代半導體並非是在第一代、第二代半導體的技術上進行一種簡單的迭代，而是一個全新的技術架構。
在過去的半個多世紀中，華微電子持續突破諸多關鍵技術，加速推動功率半導體器件的國產化替代，助力我國工業強基與民族產業發展，成爲具有國際競爭力的功率半導體企業。
最大的瓶頸就是原材料。華微電子表示：我國原材料的質量、製備問題亟待破解，另外相關材料製備的關鍵設備依賴進口；SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外對比水平還有差距；其應用技術的研究比較關鍵，若相關配套技術及產品跟不上，第三代半導體的材料及器件的作用和效率可能會發揮不好。
作爲首家國內功率半導體器件領域上市公司，華微電子堅持生產一代、儲備一代、研發一代的技術開發阿戰略，早已積極佈局以SiC和GaN爲代表的第三代半導體器件的研發、製造。
目前SiC產品已經提供二極管產品、GaN器件可以提供快充使用的FET。華微電子表示：下一步，將進一步發揮公司的IDM模式的優勢，集中精力研究三代半導體的關鍵產品技術和應用技術，完善相關生產線開發和製造能力，爲消費類、工業和汽車電子領域提供優異的第三代半導體電力電子器件。
爲擴大公司生產線，2019年，華微電子以每股3.90元價格公開發行2.1億股，募集資金總額9.3億元，用於新型電力電子器件基地項目投資。
華微電子介紹，新型電力電子器件基地項目建成以後能夠有力地補充公司的產品種類和提升產品性能。二期項目規劃的產品主要是中低壓MOSFET、IGBT和超結MOSFET產品，應用市場是電池保護、電動工具、基站電源、工業控制、充電樁和汽車電子，在這些領域華微電子產品技術儲備完善，建成後可以快速發揮IDM模式的優勢，快速提升產品線的盈利能力。在當前國產替代趨勢的環境下，有望快速突破高端領域。