震驚！美大廠搶曝2奈米 臺積電恐危險？

IBM率先發表2奈米晶片，專家認爲，臺積電霸主地位應不至於動搖。（示意圖/達志影像/shutterstock）

臺積電2奈米制程將在2023年風險試產，但藍色巨人IBM搶先在6日發表全球首創2奈米晶片製程技術，外界擔憂是否威脅臺積電晶圓代工霸主地位，專家指出，IBM採用全新環繞閘極（GAA）架構，可望加速GAA量產時程，也可能給臺積電帶來競爭壓力，不過無法撼動晶圓代工龍頭地位。

路透報導，IBM全球首推2 奈米制程晶片，約500億個電晶體放入指甲大小晶片，估算電晶體密度約每平方公釐 3.33 億個電晶體（MTr /mm²）。相較於目前許多筆電和智慧型手機的主流7奈米晶片，2奈米晶片速度快45％，節能效率提高75%。

IBM指出，2奈米制程晶片採用環繞閘極（GAA）技術，比最先進5 奈米制程晶片面積更小，運算速度更快，預計到2024年底或2025年纔會投產，儘管無助於目前全球晶片供貨短缺問題，卻意謂IBM在製程技術上取得重大突破，也備受各界關注。

中央社報導，工研院產科國際所研究總監楊瑞臨表示，臺積電3奈米制程仍持續採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，2奈米將改採GAA架構，隨着IBM驗證了GAA的可行性，預料臺積電也將加速2奈米制程開發與量產進度。

楊瑞臨認爲，IBM成功驗證GAA架構的可行性，可望加速三星與臺積電GAA技術開發，並帶動相關生態系廠商加速發展，對半導體產業而言是件大事，也可能給臺積電帶來競爭壓力，但臺積電客戶多元，有助於縮短學習曲線、加速提升良率及降低成本，不至於撼動其晶圓代工霸主地位。