超強臺積電 7奈米2018年試產
晶圓代工龍頭臺積電(2330)全力衝刺先進製程，迎接源源不絕物聯網商機。根據臺積電2014年報中指出，16奈米鰭式場效電晶體強效版(16FF+)製程技術，於去年第4季已完成所有可靠性驗證，今年7月可望進入量產階段，預期年底前將可完成近60件客戶產品設計定案，此外，10奈米制程也預計於明(2016)年開始量產，至於7奈米先進製程則將於2018年進行試產。
從製程進度來看，去年臺積電主宰市場的28奈米制程技術，已有多項顯著進展，這些強化製程及多樣化延伸，協助臺積電得以繼續保持全球市佔領先地位，另外，爲滿足客戶日益精進需求，針對超低功耗產品所新推出的28奈米超低耗電製程(28ULP)，可近一步協助客戶擴展至物聯網及穿戴式裝置領域。
去年中旬臺積電20奈米制程進入量產後，對第4季營收貢獻迅速攀升至21%，締造史上製程量產最快紀錄，藉由雙重曝光技術推出，20奈米系統單晶片製程(20SoC)提供更優異的晶片閘密度與功耗優勢，有效支援效能驅動的產品並協助行動運算應用的演進，至於16奈米鰭式場效電晶體強效版製程(16FF+)擁有完備設計生態環境，能夠支援多樣化的設計工具，以及超過100件通過矽晶驗證的矽智財，今年底前將可完成近60件客戶產品設計定案。
值得一題的是，臺積電目前正加速10奈米技術設計生態環境布建，不僅及早開始矽智財驗證程序，而且已完成超過35件設計工具驗證，至於7奈米先進製程技術，也已經進入進階開發階段，今年將着重電晶體結構選擇、電晶體與導線基本製程制定，以及初步可靠性評估，除了矽晶元件微縮，也正透過先進封裝技術進行系統微縮，增加系統傳輸頻寬、減少功耗以及縮小元件尺寸。
去年臺積電引進第2臺NXE3300極紫外光(EUV)曝光機，目前正與艾司摩爾(ASML)合作提升設備能力，以期達到對7奈米先進製程技術要求，同時也針對7奈米以下製程，開始評估多重電子束直寫技術，加速新世代半導體先進製程相關研發，在半導體下一個大趨勢來臨時，扮演帶動產業向上提升不可或缺的重要推手。