加速先進IC封裝上市時程 蔡司推3D X-ray成像解決方案

德國蔡司（ZEISS）第二次參加臺灣國際半導體展，17日宣佈推出次微米解析度3D非破壞性的成像解決方案ZEISS Xradia 620 Versa RepScan，能透過檢驗與量測功能加速先進IC封裝的上市時程。新系統運用3D X-ray顯微鏡（XRM）及蔡司遠距高解析（RaaD）技術與精密的分析軟體，能夠爲深埋在最先進封裝內的晶片提供完整的體積與線性量測。

蔡司表示，此方法遠超過使用物理橫切面、2D X-ray、microCT（高解析度電腦斷層掃描）等既有量測方式所能及，且新系統能提供更精準的資料結果，是縮短先進封裝的開發與良率學習週期最有利的機臺設備。在臺灣主要客戶羣包括臺積電、聯電等晶圓代工廠，日月光、京元電等封測代工廠，以及閎康、宜特等檢測服務業者。

蔡司新系統支援複雜的小間距3D架構設計驗證、產品開發、製程最佳化與品保品管，包含2.5D中介層、具備直通矽晶穿孔與微凸塊的高頻寬記憶體堆疊、層疊封裝互連及單一堆疊中內含多晶片的超薄記憶體。

行動與高效裝置對於微縮及傳輸效能的需求不斷提高，使得業界在高密度多晶片架構的許多創新，而這些設計也帶動封裝技術邁入立體化，使得製程的量測技術成爲是否能推出新穎且先進技術的關鍵，而這些技術的製程寬容度（process margin）通常較低或較難被控制。

事實上，晶片先進封裝製程開始由植球技術轉進採用RDL製程的扇出型封裝，或加入矽中介層及TSV製程的2.5D/3D IC封裝，晶片複雜度愈高，傳統量測技術已無法有效觀測晶片結構。業界目前針對先進封裝架構推出的方案仍屬少數，蔡司希望能借由新系統的推出，在非破壞性3D X-ray量測市場提早卡位並擴大市佔率。

蔡司半導體制造技術業務發展總監Thomas Gregorich表示，現今先進封裝中因晶片尺寸太小，已無法用2D x-ray與microCT這類非破壞性的方法來觀測。此外，物理橫切面除了無法提供3D立體資料之外，還屬於破壞性量測，較爲耗時，通常也只能處理少量樣本，就統計層面來說，改進製程控制的成效有限。蔡司新推出的3D X-ray量測解決方案，將可提供更好的3D影像模擬，加快晶片上市時間。