《半導體》聯電首推RFSOI 3DIC解決方案 加速5G時代創新

聯電錶示,RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨着新一代智慧手機對頻段數量需求不斷成長,聯電的RFSOI 3D IC解決方案利用晶圓對晶圓鍵合技術,並解決晶片堆疊時常見的射頻干擾問題。

聯電指出,公司的RFSOI 3D IC解決方案將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,以解決在裝置中整合更多射頻前端模組(RF-FEM)帶來的挑戰。此製程已獲得多項國際專利,準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉(Raj Verma)表示,此突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加帶來的挑戰,更有助在行動、物聯網和虛擬實境裝置中,透過同時容納更多頻段,來實現更快的資料傳輸。

馬瑞吉指出,聯電很高興能領先業界,以創新射頻前端模組的3D IC技術,爲客戶打造最先進的解決方案。未來將持續開發如5G毫米波(mmWave)晶片堆疊技術的解決方案,以滿足客戶對射頻晶片的需求。

聯電錶示,公司擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案,RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術,以8吋和12吋晶圓生產,目前已完成超過500個產品設計定案,出貨量高達380多億顆。

除了RFSOI技術外,聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN),以及射頻濾波器(RF filters)技術,可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。