半導體設備導入臺積電實測驗證 沈榮津：供應在地化

行政院副院長沈榮津今日出席臺灣區工具機暨零組件公會出面，號召成立推動半導體設備在地化跨產業聯盟正式成軍的籤合作備忘錄記者會。(沈美幸攝)

行政院副院長沈榮津今（2）日出席見證「推動半導體設備在地化跨產業聯盟」正式成軍，致詞表示，政府避免競爭對手透過外商取得半導體業最佳化參數，成爲臺灣半導體先進製程技術外流的破口，今年協助國內業者開發設備，導入臺積電做實測驗證、推動材料供應在地化，可避免關鍵設備與材料受制於外商，不讓技術外流。

沈榮津指出，過去半導體業者將材料配方交給外商代工生產，連同最佳化參數也交出去，不但錢被外商賺走，競爭對手還可能藉透過外商取得這些機密，成爲臺灣先進製程技術外流的破口。政府今年協助國內業者開發設備，並導入臺積電做實測驗證、推動材料供應在地化，就是要避免關鍵設備與材料受制於外商，不讓技術外流未來發展重點包括外商設備製造在地化、先進封裝設備國產化、材料供應在地化、技術自主化讓臺灣繼續做全球半導體領頭羊。

沈榮津指稱，今年臺積電5奈米進入量產且在南科設3奈米先進製程廠，臺積電董事長劉德音上週主持南科3奈米廠房上樑，預計2022量產。最近半導體產業會有2.7兆元投資，最重要是，往後2奈米一個是在新竹四個廠，但一個世代8個廠，還有4個場在整體評估中。往後還有N+1、+2、+3共三個世代的規劃佈局，讓臺灣成爲半導體重要生產基地。

沈榮津表示，國內半導體設備、材料大廠，紛紛來臺設廠或尋求合作廠商，國內石化、材料及精密機械業者，已有機會跨足半導體產業，竹科、中科、南科發展已接近飽和，希望促成第四、第五新發展基地，最重要是帶動區域均衡發展，過去都說重北輕南，跳過臺中，現在不會了，可以說一直往下走，有土地就有機會，帶動區域均衡發展，可以分散企業經營風險。

沈榮津指出，政府提升外商設備、製造在地化比例方面，他親自出面邀請三大半導體設備外商，包括荷商艾司摩爾、美國應材、美商科林研發（Lam Research）的在臺負責人商談擴大跟臺灣設備業者如何強化合作，最重要是針對臺廠有機會切入的關鍵模組，包括光罩承載模組、晶圓傳輸模組、電源供應模組培養在地廠商，引進供應鏈體系，擴大在地製造比例。至於先進設備封裝國產化，結合臺積電、日月光等製程設備需求，藉由前瞻計劃、A-PLUS計劃、產創平臺等計劃，協助臺廠透過實測場域驗證，並藉此時機擴散銷售至其他半導體廠。

沈榮津指出，政府今年配合臺積產線需求，協助國內業者開發國產前段設備、IC封裝設備，導入臺積電實測驗證，也規劃材料供應在地化，這樣可避免受制於外商，國內半導體業者現在將材料配方交給外商代工生產供應，最佳化參數給他們、他還賺我們錢這樣有對嗎？

沈榮津強調，「我們要自己好好把這一塊在臺灣建立起來，要建立自主材料供應鏈，避免受制於人」。尤其，日韓貿易摩擦就是材料受制於人，讓日方限制重要半導體材料輸出到我們競爭對手，讓他們國家產業發展受到影響GDP 1.5％。其次是避免技術外流，尤其開發新材料要兩年，競爭對手經由外商一天就可以取得先進製程材料的最佳化配方，這就成爲我們先進製程技術外流的破口。

沈榮津指出，政府爲協助業者解決半導體人才的問題，政院將重點發展產業領域用比較創新條例，讓業者出錢、政府修法及出力，大家一起來強化重點產業的人力，這種比較創新突破性的作法，突破很多法規限制。行政院將修改產業創新條例，由產業出錢、教育部出力，培育半導體人才。

沈榮津表示，政府希望藉此吸引更多半導體設備材料外商來臺投資，協助國內廠商深化自主技術研發，落實在地話政策，預計2030臺灣半導體產值從現在2.6兆翻倍到5兆。