威騰電子與鎧俠推第五代3D NAND技術BiCS5 下半年量產
▲威騰電子與鎧俠推第五代3D NAND技術BiCS5。（圖／業者提供）
威騰電子（Western Digital）今（24）日宣佈成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5，目前已開始生產512Gb的BiCS5 TLC，並預計在2020年下半年就能開始商業化量產。
BiCS5是由威騰電子與合作伙伴鎧俠（Kioxia，前東芝記憶體）共同開發，將於日本三重縣四日市及巖手縣北上市的合資晶圓廠製造。
BiCS5採用三層單元（TLC）與四層單元（QLC）兩種架構，因性價比、效能與穩定性等滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。未來，BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。
BiCS5是威騰電子目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升晶圓的橫向儲存單元陣列密度。此外，BiCS5擁有112層垂直堆疊的儲存容量，使每晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40%，可達到最佳成本；新架構設計也爲BiCS5挹注更高效能，使其I/O效能較BiCS4提高50%。
威騰電子記憶體技術與製造部門資深副總裁Steve Paak博士表示，BiCS5利用更先進的多層儲存通孔（multi-tier memory hole）技術來增加橫向儲存密度，同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升，以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。