集邦:明年 HBM 價格調漲5~10% 佔 DRAM 總產值逾3成

根據TrendForce資深研究副總吳雅婷表示,受惠於HBM銷售單價較傳統型DRAM(Conventional DRAM)高出數倍,相較DDR5價差大約五倍,加上AI晶片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大,促使2023~2025年間HBM之於DRAM產能及產值佔比均大幅向上。

產能方面,2023~2024年HBM佔DRAM總產能分別是2%及5%,至2025年佔比預估將超過10%。產值方面,2024年起HBM之於DRAM總產值預估可逾20%,至2025年佔比有機會逾3成。

吳雅婷指出,今年第2季已開始針對2025年HBM進入議價,不過受限於DRAM總產能有限,爲避免產能排擠效應,供應商已經初步調漲5~10%,包含HBM2e,HBM3與HBM3e。供應商議價時間提早於第2季發生有三大原因,其一,HBM買方對於AI需求展望仍具高度信心,願意接受價格續漲。

其二,HBM3e的TSV良率目前僅約40~60%,仍有待提升,加上並非三大原廠都已經通過HBM3e的客戶驗證,故HBM買方也願意接受漲價,以鎖定品質穩定的貨源。其三,未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應商的可靠度,及供應能力產生價差,對於供應商而言,未來平均銷售單價將會因此出現差異,並進一步影響獲利。

展望2025年,由主要AI解決方案供應商的角度來看,HBM規格需求大幅轉向HBM3e,且將會有更多12hi的產品出現,帶動單晶片搭載HBM的容量提升。根據TrendForce預估,2024年的HBM需求位元年成長率近200%,2025年可望將再翻倍。