不跌了! 集邦：DRAM明年Q1看漲
根據市調機構集邦科技旗下半導體研究處表示，DRAM市場因整體屬寡佔市場型態，供需動能較NAND Flash明顯健康許多，在歷經超過兩季庫存修正後，爲減緩預期後續漲價所造成的成本上升，2021年第一季預計買方將開始提高庫存水位加以因應，使價格有所支撐，整體DRAM的平均銷售單價將止跌回穩，甚至有微幅上漲的可能。
從需求面來看，2021年第一季筆記型電腦的整機生產量預估爲約5,270萬臺，除了受傳統淡季效應與農曆新年工作天數減少影響，加上2020年第四季基期偏高，因此預估季減約9％。
然而，大部分的OEM品牌廠商受惠於今年筆電出貨暢旺，標準型DRAM庫存水位僅4～5周，因此預估短期內廠商增加庫存的意向，將會持續拉昇需求動能。
從供給面來看，DRAM三大原廠三星、SK海力士、美光等整體供給位元成長在近兩季度並未有大幅提升，加上受惠於行動式DRAM的拉貨動能暢旺，第三季末起各廠就計劃性地將產能持續轉向該領域，導致標準型與伺服器DRAM產能受到排擠。因此，在2021年第一季需求有撐，供給未明顯成長的情況下，標準型DRAM均價不易下跌。
在伺服器DRAM部份，集邦預期價格落底、產能趨緊等因素導致市場對於提前備貨的共識顯著提高。展望2021年，雖然每年首季度均爲品牌廠出貨的淡季週期，但在價格反轉前夕與美光跳電事件的預期性心理影響下，將會刺激買方提前補單。
且現階段由於市場近期由部分產品線率先領漲後，同時伴隨行動式DRAM與標準型DRAM需求暢旺，伺服器DRAM的價格下行區間有機會提前終結，明年首季將正式漲價。
集邦預測明年第一季行動式DRAM合約價格與今年第四季大致持平。以需求大宗的品牌廠而言，在先前議定的特定交易及大量需求的支撐下，價格變動幅度不大。
反觀其他規模較小的品牌廠，出於排擠效應，加上需求容量較小，原廠供給意願較低等因素，明年第一季合約價格不排除微幅上揚的可能，幅度約落在3％以內。
集邦指出，繪圖型GDDR受惠於新顯卡、新遊戲機、礦機持續扮演需求的三大支柱，帶動繪圖型GDDR成爲衆DRAM產品中率先漲價者。
集邦預估主流產品GDDR6價格將於2021年第一季上漲約5～10％。至於消費性或利基型DRAM，SK海力士已正式停產2Gb DDR3，三星亦逐漸將Line 13的舊DRAM製程轉移至生產CMOS影像感測器，DDR3在韓系廠商陸續減少產出的情況下，價格有率先被拉擡的態勢。