中芯7奈米退位？陸巨頭爆超狂技術…驚見3奈米 拜登慘輸

長鑫儲存發表論文展示GAA技術，適用3奈米晶片。（示意圖/達志影像/shutterstock）

中國大陸記憶體晶片大廠長鑫儲存（CXMT）發表一篇論文，環繞式閘極結構（GAA）技術，適用於先進3奈米晶片，在拜登政府強力制裁下，陸廠再度取得重大突破。此前華爲於8月底推出5G新手機，搭載麒麟9000S處理器，由中芯國際7奈米制程生產，同樣突圍美國科技封鎖。

南華早報報導，長鑫儲存本週於舊金山舉行IEEE國際電子元件年會（IEDM）上發表一篇論文，展示GAA技術，可用於打造先進3奈米晶片。長鑫儲存雖未提供下一代記憶體晶片生產證據，但也引起產業析師關注，因爲此類晶片設計通常涉及受美國出口管制技術。

臺灣華邦電子儲存晶片專家Frederick Chen表示，長鑫存儲的進展證據「令人印象深刻」，代表這家公司離最先進的研究和技術不遠了，更重要的是，目前三星也在做相同的產品研發。

長鑫存儲發表聲明稱，這篇論文描述DRAM結構和4F2設計可行性相關的基礎研究，與長鑫存儲當前的生產技術無關，暗示這項設計樣張，還未成爲符合市場需求的產品。

長鑫存儲專家表示，任何有關該公司違反美國製裁或出口管制的指控，完全是錯誤的，「我們堅信國際電子元件年會的理念是秉持促進產業的創新和發展。」

半導體研究公司SemiAnalysis首席分析師Dylan Patel在X（原推特）平臺上表示，長鑫儲存的論文稱，在最先進的晶體管架構方面取得進展，意味着突破美國製裁。

兩週前，長鑫存儲發表，大陸首款低功耗雙倍資料速率5（LPDDR5）DRAM晶片，並已成功生產，再度拉進與韓國三星和SK海力士等一線廠商的差距。

美國今年10月擴大對中國大陸半導體設備出口管制措施，包括曝光、蝕刻、沉積、注入和清潔等技術，進一步打壓大陸晶片製造能力。

長鑫儲存成立於2016年，是大陸在全球DRAM市場的最大希望，目標爲追趕韓國記憶體巨頭三星、SK海力士，以及美國美光科技。