中山大學獨創長晶技術 助半導體產業升級

國立中山大學晶體研究中心率全國大學之先，獨創第三代半導體材料「碳化矽」長晶技術，將助攻臺灣產業升級。（國立中山大學提供／袁庭堯高雄傳真）

全球產業晶片荒，汽車製造業所需的第三代半導體材料「碳化矽」供不應求，國立中山大學「晶體研究中心」自行研發設備及技術，透過攝氏2200度以上超高溫生長出碳化矽晶體，是國內唯一具備生產6至8吋晶圓設備的研究中心。

中山大學材料與光電科學學系講座教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，臺灣半導體晶圓代工居全球之冠，但在發展5G、電動車等新興科技過程，卻因缺乏第三代半導體材料「碳化矽」與「氮化鎵」晶體，而使相關產業發展受限。

周明奇強調，晶體生長的技術門檻太高，且需大量時間及經驗，導致國內極少公司投入生產，生產公司也因長晶設備及熱場非自行研發組裝，常導致生長晶體良率太低。

中山晶體研究中心在科技部自然司物理學門支持及教育部高教深耕計劃經費挹注下，已克服技術難關，從生長晶體的「長晶爐」到長晶技術，全部自行設計研發，關鍵技術不倚賴國外廠商。

周明奇強調，第三代半導體新材料的研發將左右臺灣能否掌握下世代半導體的先機，牽動全球經濟、政治與國防軍事的重新佈局。晶體研究中心將把生長碳化矽晶體的核心技術「根留臺灣」，助國內半導體產業加速升級，進而鞏固臺灣在全球半導體版圖中的領先地位，也藉此培養南臺灣相關領域人才。

晶體中心將與2家大型上市公司攜手開發高純度碳化矽粉末、坩堝及隔熱材料等上游原物料，中心負責開發碳化矽晶體生長技術及長晶設備，中山大學技術移轉的設備公司負責碳化矽晶體的生長及切磨拋，三方將朝成立碳化矽晶體生長公司的目標邁進。