英特磊攜韓廠 搶攻氮化鎵

英特磊IET-KY(4971)18日宣佈,與韓國IVWorks公司合作,開發以MBE分子束磊技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片。英特磊總經理永中表示,氮化鎵具高頻優勢,是5G、物聯網時代大量使用的新一代半導體材料,與IVWorks合作提早掌握GaN先機,搶攻RF(射頻)和電力器件領域,擴大全球市場佈局

高永中表示,英特磊與IVWorks 2018年起在GaN材料和磊晶技術密切合作,2019年形成技術和行銷聯盟框架。這次的合作案聯手開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務;現有產品GaN/Si(最大200mm)和GaN/SiC(最大150mm)已進入送樣階段

IVWorks運用混合式MBE技術(Hybrid-MBE),生產高質量的GaN磊晶片。英特磊則有擁多項美國專利的即時生產監控系統,高永中表示,利用公司在MBE的量產經驗模式,以及硬體設備自主改造升級實力,可迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合