國防加持!銻化鎵需求增 英特磊今年再設第二條產線

光電及高頻產品部分,受今年上半年量產客戶庫存仍高,惟研發產品訂單持績進行,磷化銦(InP)磊晶產品長期需求看好,今年持平,營收比重可能下幅下滑,APD訂單則持續增加;至於高頻HBT量產訂單,已自第二季中旬逐漸復甦,大尺寸InP HBT等磊晶產品亦開始交貨,將是未來若進入6G時代之關鍵。

高永中表示,由於英特磊產品較偏重基建及工業,故在GaAs族羣業績同步進入寒冬期的去年,全年營收仍以8.93億元逆勢創下歷史高。

展望今年,目前仍以InP爲營收佔比最高之產品,未來將持續與主要客戶洽談年度採購訂單、反應成本增加適時調價,並與客戶研發長波長InP VCSEL磊晶片之各項應用;此外,隨地緣政治風險增加,各國對國防需求均出現提升,尤其美國對GaSb磊晶片增高需求,GaSb應用除環保氣體偵測外,也可用於夜視增強器。

高永中指出,目前英特磊製作的是第四代,未來在軍用領域發展可期,預估今年GaSb營收佔比就會上升至15%~20%,明年還有機會突破20%,今年公司也將會完成第二條生產線,以擴大單晶生產之產能。

由於美國晶片法存在退場機制、將在2027年廢止,故業者若要在法案廢止前獲得最多優惠,就必須儘快展開設廠動作。高永中表示,英特磊今年規劃將擴建3萬呎廠房,做爲儲存機器、機器改造或GaSb生產線遷入之用,加速基建資本支出與新購機器的更新速度。

營運開發重點方面,英特磊去年購置六臺大型MBE機臺,交款時限符合美國晶片法案啓動時限,今年預計會再增加三臺MBE,其中兩臺是提供氮化鎵(GaN)使用,另一臺則爲8 x 6 MBE 20,是全球最大的MBE機臺,將於今年完成並買下;此外,1300nm摻氮VCSEL開發則持續與一線廠商合作。