英特爾記憶體模組H10大跨步　結合兩大革命性技術

▲英特爾具有固態儲存的Intel Optane記憶體H10。（圖／業者提供）

記者周康玉／臺北報導

晶片巨頭英特爾（Intel）在今年初的CES中發佈Optane記憶體H10，但卻對H10的技術規格保密到家，今（11）晨正式公佈H10的詳細資訊，這回英特爾做一個大突破，將IntelR Optane技術和IntelR Quad Level Cell (QLC) 3D NAND技術的儲存容量整合在節省空間的單一M.2尺寸規範模組當中，結合兩種革命性的記憶體和儲存技術。

英特爾非揮發性記憶體解決方案事業羣資深副總裁暨總經理Rob Crooke指出，具有固態儲存的Intel Optane記憶體H10，採用Intel Optane技術與Intel QLC 3D NAND的獨特組合，體現消費者對記憶體和儲存的顛覆性創新設計，並以獨一無二的方式釋放Intel連接平臺的完整功能；並認爲，能在單一的M.2尺寸規範模組中結合了兩種革命性的記憶體和儲存技術，是一種創新設備，

英特爾將兩大技術結合在同一個模組M.2中，可將Intel Optane記憶體的應用，從桌上電腦擴展到輕薄的筆記型電腦，減少對於第二顆資料儲存設備的需求。

此外，具有固態儲存的Intel Optane記憶體H10將具有以下容量的選擇，16GB (Intel Optane記憶體) + 256GB (儲存)；32GB (Intel Optane記憶體) + 512GB (儲存)；和32GB (Intel Optane記憶體) + 1TB儲存。採用H10並搭載第8代IntelR Core U系列行動平臺後，將使啓動文件檔案的速度提高2倍、遊戲啓動速度提高60％、打開媒體檔案的速度提高90％等。

此裝置未來會出現在Dell、HP、ASUS、Acer等OEM廠的首批系統，也會在Best Buy和Costco等通路上架，將於第二季就會出貨。