先進及特殊製程 洪嘉聰:聯電進展順利

晶圓代大廠聯電董事長洪嘉聰表示,新冠肺炎疫情衍生許多新的工作型態市場需求,包括人工智慧(AI)、先進製造、5G通訊量子訊息科技等,將是新時代半導體科技運用趨勢。聯電將持續強化公司競爭優勢,掌握後疫情的新需求及創新服務,在經營策略上維持既定的兼顧財務體質改善及持續成長。法人看好聯電今年營收及獲利將同步創下新高紀錄

洪嘉聰在營運報告書中指出,去年新冠肺炎疫情肆虐全球,聯電面對此動盪局勢,經營團隊配合政府政策進行超前部署,與全體同仁正面迎擊疫情,共同努力維持正常營運,且能穩定成長。

洪嘉聰表示,聯電自從調整經營策略後,轉型爲專注特殊技術領先者,並從強化財務結構、具成本競爭力的產能擴充及調整產品組合著手。檢視目前成效,在策略定位、技術及產能、良率、獲利與永續經營各方面都有亮麗的表現。

聯電去年在先進製程平臺推出14奈米14FFC製程、22奈米超低功耗22ULP及超低漏電流22ULL製程、28奈米高效能運算28HPC+製程等均已進入量產,並採用28HPC+製程量產影像訊號處理器(ISP)且今年導入更先進的高階產品。聯電亦針對毫米波(mmWave)製程完成55/40/28奈米平臺,可應用在行動裝置、物聯網、5G通訊、車用電子工業雷達

在特殊製程技術部,洪嘉聰表示,聯電28奈米高壓制程是晶圓代工業界第一個領先開發並量產OLED面板驅動IC,22奈米高壓22eHV製程研發進度符合預期指標射頻絕緣半導體(RFSOI)技術可滿足所有4G/5G手機對射頻開關的嚴格要求。

此外,聯電嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程的40奈米導入量產,28奈米研發符合預期,將可供應物聯網需求。40奈米電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)已經進入量產,22奈米ReRAM技術平臺和22奈米嵌入式磁阻隨機存取記憶體(eMRAM)製程平臺研發業已如期進行中。聯電也積極投入氮化鎵(GaN)功率元件微波元件平臺開發,藉以佈局高效能電源功率元件與5G微波元件市場。