臺積電、英特爾領先！三星彎道超車想破頭 少主曝新動作

三星電子。(圖/美聯社)

全球晶圓代工先進製程領域競爭愈發白熱化，在臺積電公佈亮眼財報，並宣告將赴日本設廠，用以生產22/28奈米特殊製程，成爲臺積電繼美國亞利桑那州興建5奈米晶圓廠後，又一向海外拓展的重要決策。對此，三星集團實際領導人、三星電子副會長李在鎔預計稍晚前往美國，就儘速拍板美國晶圓廠投資案。

李在鎔8月假釋出獄後，立即宣佈未來3年投入240兆韓圜，鞏固該公司在後疫情時代科技產業的優勢地位，甚至稱該公司下一代製程節點3奈米制程採用環繞閘極技術（Gate-All-AroundGAA）不會輸給競爭對手、也就是臺積電。三星甚至在近期技術論壇上提及，預計在2025年2奈米制程量產，企圖彎道超車競爭對手臺積電，頗有叫戰臺積電的意味。

韓媒《BusinessKorea》報導，李在鎔已經申請簽證，準備前往美國，預料最快時間落在10月底，主要是要確定在美國新晶圓廠的選址。三星2021年5月宣佈投資170億美元，在美國設立第二座晶圓廠。

三星目前5個選址中，德州泰勒市(Taylor City) 機率最高，泰勒市議會於美國時間10月14日，通過對三星設廠的稅務優惠，包括前10年土地稅減免92.5%，第2個10年減免90%，第3個10年減免85%，另外提供水電費優惠。三星自2016年收購車用零件供應商哈曼國際(Harman International)之後，再也沒有通過大型併購交易，但業界傳出，三星已經鎖定幾家大廠，包括先前傳出的車用晶片主要供應商包括荷蘭恩智浦（NXP）、美國德州儀器（TI）、日本瑞薩（Renesas）等。

爲了捍衛南韓半導體產業的優勢，外界認爲南韓政府這是讓李在鎔假釋出獄的主要理由，三星也在實際領導人出現後，針對與臺積電、英特爾競爭提出許多措施，也加強對外放話，但三星最重要赴美設廠投資案，最終的選址仍未定案。

臺積電在2020年5月中旬宣佈，將在亞利桑那州鳳凰城投資120億美元興建晶圓廠，用以生產5奈米制程，預計2024年量產，月產能將達2萬片。鳳凰城去年間11月18日以9票贊成0票反對，無異議通過臺積電開發協議，鳳凰城則將由市府資金提撥2.05億美元，用於改善道路及水源等基礎建設。臺積電美國新廠今年上半年開始動工，首批250名員工招募完成，其中有部分新進員工將來臺灣的臺積電南科廠培訓爲期1年半的時間，訓練結束後將返回鳳凰城。

英特爾執行長Pat Gelsinger今年上任後，2021年3月宣佈將啓動IDM 2.0戰略，將重返晶圓代工業務，並透露將投入200億美元，在亞利桑那州興建2座晶圓廠。英特爾在Fab 52/Fab62晶圓廠9月舉行動工典禮，預計2024年量產採用全新RibbonFET 和PowerVia 的英特爾20A製程，亞利桑那州也將成爲英特爾最大生產基地，若照先前英特爾公佈最新制程藍圖來看，將供應給高通、亞馬遜的雲端運算晶片。

雖然臺積電、英特爾都已經開始動工新廠區，但是在三星搶先採用GAA技術，以及取得艾司摩爾(ASML)所提供的極紫外光(EUV)微影設備已經在7奈米制程導入，等於是三方各有勝負，這三星是否有機會在3奈米、甚至是2奈米超車，外界持續關注。