臺積3奈米 明年下半年量產

臺積電公告2020年年報，揭露先進製程進度，其中3奈米鰭式場效電晶體制程（FinFET）開發領先全球，同時針對行動通訊與高效能運算（HPC）應用提供優化製程，預計2022年下半年量產。2奈米去年完成初步研究及路徑尋找，今年研發階段着重於測試鍵與測試載具的設計與實作，同時進入極紫外光（EUV）光罩製作及矽試產階段。

臺積電持續投資研究與開發，去年全年研發總預算約佔總營收8.2％且來到1,095億元，此一研發投資規模相當或超越了許多其他高科技領導公司的規模。

臺積電的3奈米技術作爲第六代三維電晶體技術平臺，持續全面開發，並與主要客戶完成矽智財設計及開始進行驗證的同時，臺積電已開始全面開發領先半導體業界的2奈米技術，同時針對2奈米以下的技術進行探索性研究。

臺積電表示，3奈米FinFET技術開發依照計劃進行並有很好的進展。此一領先全球的技術同時針對行動通訊與HPC應用提供優化的製程，預期今年將接獲多個客戶產品投片，預計明年下半年開始量產。相較於5奈米技術，3奈米邏輯密度將增加70％，效能提升15％，而且功耗降低30％。

臺積電去年完成2奈米初步研究及路徑尋找之後，今年2奈米制程技術的研發階段，着重於測試鍵與測試載具之設計與實作、光罩製作及矽試產。而在微影技術及光罩技術部分，臺積電今年在2奈米及更先進製程上將着重於改善EUV微影技術的品質與成本，並持續精進EUV光罩技術以滿足2奈米微影技術在光罩上的需求。

臺積電5奈米領先量產，去年已開始爲蘋果等多家客戶量產行動通訊及HPC相關晶片，5奈米強效版（N5P）採相同設計準則，去年底臺積電已接獲多個客戶產品投片，並預計今年進行N5P技術量產。