Microchip持續擴大氮化鎵 射頻功率元件產品組合

與所有Microchip的GaN射頻功率產品一樣,新元件採用碳化矽基氮化鎵技術製造,提供了高功率密度和產量的最佳組合,可在高壓下運行,255℃接面溫度下使用壽命超過100萬小時。

這些產品包括覆蓋2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化鎵MMIC,3dB壓縮點(P3dB)射頻輸出功率高達20W,效率高達25%,以及用於S和X波段的裸晶和封裝氮化鎵MMIC放大器,PAE高達60%,以及覆蓋直流至14GHz的分離高電子遷移率電晶體(HEMT)元件,P3dB射頻輸出功率高達100W,最大效率爲70%。

Microchip分離產品業務部副總裁Leon Gross表示,Microchip持續投入打造GaN射頻產品系列,以支援從微波到毫米波長所有頻率的各種應用。我們的產品組合包括從低功率水準到2.2千瓦的50多種元件。今天宣佈推出的產品跨越了2至20GHz,旨在解決5G和其他無線網路採用的高階調變技術帶來的線性度和效率挑戰,以及滿足衛星通訊和國防應用的獨特需求。

除GaN元件外,Microchip的射頻半導體產品組合包括砷化鎵(GaAs)射頻放大器和模組、低雜訊放大器、前端模組(RFFE)、變容二極體、蕭特基和PIN二極體、射頻開關和電壓可變衰減器。此外,公司還提供高效能表面聲波(SAW)感測器和微機電系統(MEMS)振盪器以及高度整合的模組。這些模組將微控制器(MCU)與射頻收發器(WiFi MCU)相結合,支援從藍牙和WiFi到LoRa的主要短程無線通訊協定。