交大教授新突破 有望成爲第5代電子封裝技術

交通大學陳智、陳冠能兩位教授團隊今 (3)日發表利用特殊電鍍發展低溫低壓的銅、銅接合技術，有望成爲第5代高階電子封裝技術，對半導體、晶圓產業帶來貢獻。

交大表示，材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智、電子系教授暨國際半導體產業學院副院長陳冠能團隊與美國加州大學洛杉磯分校 (UCLA)暨中央研究院院士杜經寧教授合作，在微電子封裝業的研究有重大突破。

交大指出，團隊利用特殊電鍍技術發展低溫低壓的銅、銅接合技術，若未來進一步提升反應速度與均勻度，有望取代銲錫，成爲繼打線接合、卷帶自動接合、覆晶封裝、微凸塊矽穿孔電鍍後的第5代電子封裝技術。

陳智說，團隊2012年利用特殊電鍍技術製備具有高度 (111)優選方向的奈米雙晶銅金屬膜，當時已發表在Science期刊，因爲111面爲最密堆積平面，平面上的銅原子具擴散速度較快的特性，開始發展低溫低壓的銅銅接合技術，目前已成功在10-3torr一般真空環境以攝氏150度低溫、小於1MPa低壓銅、銅接合，過程可在60分鐘內完成。

陳智強調，這個溫度遠低於一般無鉛銲錫回銲的溫度，若提高到攝氏250度，更可在10分鐘內完成接合，是銅、銅接合發展上的重大突破，尤其整個研究是臺灣團隊主導，實驗也都在臺灣完成，除已發表在5月出版的科學報導(Scientific Reports)，也獲得臺灣發明專利，並同時申請美國及德國專利。