江蘇芯德半導體取得一種含高中低密度芯片的封裝結構專利，結合芯片埋入技術及 RDL 技術實現不同凸塊密度的芯片互聯

金融界 2024 年 9 月 10 日消息，天眼查知識產權信息顯示，江蘇芯德半導體科技有限公司取得一項名爲“一種含高中低密度芯片的封裝結構“，授權公告號 CN202323299000.X，申請日期爲 2023 年 12 月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種含高中低密度芯片的封裝結構，在基板內預埋有第二芯片，基板的背面貼裝有第三芯片，第三芯片與基板之間填充有填充料三，重分佈層貼裝有第一芯片，第一芯片與重分佈層之間具有填充料一，重分佈層上設有塑封層，塑封層包裹第一芯片，塑封層內設有將重分佈層和/或第一芯片的電路引出的銅柱，銅柱上植有焊球一，載有封裝後的第一芯片的重分佈層倒裝於基板的正面，焊球一與基板連接，塑封層與基板之間填充有填充料二，重分佈層的背面植有焊球二，第一、第二、第三芯片分別爲高、中、低的凸塊密度的芯片。本實用新型結合芯片埋入技術及 RDL 技術實現不同凸塊密度的芯片互聯，提供了一種性價比較高的含高中低密度芯片的封裝結構。

本文源自金融界