Ansys多物理場方案 通過臺積電新一代3DIC封裝技術認證

Ansys(NASDAQ:ANSS)先進半導體設計解決方案通過臺積電(TSMC)高速CoWoS-S(CoWoS with silicon interposer)和InFO-R(InFO with RDL interconnect)先進封裝技術認證。這讓客戶針對整套整合2.5D和3D晶片系統,籤核耗電、訊號完整性分析熱效應衝擊,確認其可靠度。

臺積電針對下一代CoWoS-S和InFO-R先進封裝技術,認證包含Ansys Redhawk-SC Electrothermal的Ansys RedHawk和Ansys RaptorH系列多物理場解決方案。該認證涵蓋晶粒和封裝共同模擬與共同分析,以便進行萃取、耗電和訊號完整性分析、耗電和訊號電子遷移(EM)分析以及熱分析。該全面的耗電、熱、訊號完整性和EM分析工具套件有助於模擬、計算和減少可靠度問題,進而實現最佳電機效能

臺積電設計建構管理處資深處長Suk Lee表示:「我們結合Ansys的多物理場解決方案和臺積電的CoWoS以及InFO先進封裝技術的合作成果,幫助雙方共同客戶應對設計的複雜度挑戰。我們透過與Ansys的長期合作,幫助客戶改善和驗證其最先進設計,以滿足嚴格的效能和可靠度標準。」

Ansys副總裁總經理John Lee表示:「客戶爲了滿足Wi-Fi系統、5G行動裝置和高速無線組件的嚴格可靠度要求,需要全面的多物理場解決方案,以解決跨越整套晶片、封裝和系統的耗電、可靠度和熱問題。我們與臺積電合作,運用頂尖的多物理場模擬平臺,幫助客戶克服這些挑戰,實現首次設計就成功,並加速產品上市時程。」