芯片戰場丨臺積電最高可獲美國政府66億美元補貼 計劃在美建第三座晶圓廠

21世紀經濟報道記者倪雨晴、實習生朱梓燁 深圳報道

日前，臺積電宣佈美國商務部和TSMC Arizona已簽署一份非約束性的初步條款備忘錄，基於《芯片與科學法案》的規則，臺積電將獲得最高可達66億美元的直接補貼。

同時，備忘錄提出，可以向臺積電提供最高可達50億美元的貸款，而臺積電還計劃在TSMC Arizona資本支出中符合條件的部分，向美國財政部申請最高可達25%的投資稅收減免。此外，臺積電宣佈，計劃在TSMC Arizona設立第三座晶圓廠以滿足客戶需求。

臺積電在公告中表示，公司將維持其對長期財務目標的承諾，即營收以美元計的年複合成長率爲15%至20%、毛利率達53%以上，且股東權益報酬率高於25%。

臺積電官方披露，在美國亞利桑那州的第一座晶圓廠依進度將在2025年上半年開始生產4納米制程技術，第二座晶圓廠將採用2納米制程技術，預計於2028年開始生產；第三座晶圓廠則預計在21世紀20年代底採用2納米或更先進的製程技術來進行芯片生產。

同時臺積電表示，設立第三座晶圓廠的計劃將使得臺積電在亞利桑那州鳳凰城據點的總資本支出超過650億美元，這將是亞利桑那州史上規模最大的外國直接投資案，也是美國史上規模最大的外國在美直接綠地（greenfield）投資案。

近年來臺積電的生產體系不斷向海外擴張佈局，除在美國亞利桑那州設立的三座工廠外，臺積電還在日本南部的熊本縣建立了兩座晶圓工廠，並在去年宣佈在德國德累斯頓投資約35億歐元設立晶圓廠，形成了橫跨歐美亞三洲的全球佈局。

在業內人士看來，近年全球各大區域都在強化本地製造的能力，尤其是爭奪半導體這樣的製造高地，因此各國都在招攬芯片巨頭前來建廠。

據報道，三星也在近期計劃大幅增加其在美國德克薩斯州泰勒市的半導體投資，在2021年宣佈的計劃投資170億美元建造一座5nm晶圓廠的基礎上，再新建一座先進製程晶圓廠、一座先進封裝廠和一個研發中心，使得總體的投資金額達到約440億美元。

美國對半導體制造研發領域的優惠政策也持續不斷，上月英特爾也宣佈獲得美國政府的85億美元直接補貼，用於推進英特爾在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的半導體制造和研發項目。

另一方面，近期美國還在繼續收緊半導體出口管制，並且欲強化同盟之間的聯合動作，全球的半導體格局也將繼續受到政策的影響。