先探／臺積電再度輾壓對手

臺積電在先進製程領先對手，卻也不能忽視對方的反撲；隨着英特爾已採用High-NA EUV機臺用作先進製程設備，面對此壓力，臺積電提早採購該機臺，最快九月底就會進來臺灣，供應鏈勢必動起來。

文／魏聖峰

臺積電在今年第一季全球晶圓代工產業的市佔率以六一．七％、高居龍頭地位，排名第二的三星電子市佔率僅有十三％，而英特爾市佔率排名則落後於臺積電與三星電子。尤其是臺積電先進製程在全球有高達九二％的市佔率，明顯受惠於ＡＩ的成長。英特爾爲了要彎道超車，已經向艾司摩爾（ASML）購買最新高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）機臺，計劃先在一．八奈米試用這項設備，然後在一．四奈米正式導入。臺積電董事長魏哲家上半年多次前往歐洲甚至跑到荷蘭ASML總部討論半導體設備事宜，提前採購High-NA EUV機臺，爲臺積電接下來的二奈米制程提前佈局。據消息來源指出，臺積電第一臺High-NA EUV機臺，最快九月底就進口到臺灣。

ASML是全世界最大的半導體曝光機機臺製造商，尤其在ＥＵＶ更是別無分號的一○○％市佔率。ＥＵＶ機臺每臺售價超過一億歐元，臺積電、三星電子和英特爾是全球ＥＵＶ機臺的主要客戶。幾年前，中芯國際曾經向ASML訂購一臺ＥＵＶ機臺，就在出口到中國前夕，該機臺莫名其妙起火燃燒。之後，美國對中國科技封鎖越來越嚴格，中國就再也買不到ＥＵＶ機臺。像ＥＵＶ機臺這類高階半導體設備早被美國政府列入嚴格管制清單，就算不是美國企業生產，美國政府仍有辦法禁止讓設備賣到中國。

ＥＵＶ是艾司摩爾獨家技術

ＥＵＶ的關鍵技術是ASML獨家研發出來，該機臺能透過波長超小的光（十三．五奈米）來列印微晶片，讓工程師在奈米、甚至埃米等級製程，可以在晶圓上做出電路圖。然後將電路圖刻在石英板片上製成光罩，光束從光罩上方照下來，經由透鏡形成的光學系統照射到晶圓，再進行顯影、蝕刻和清洗程序，將電路圖從光罩轉移到晶圓上。上述程序中的光束，就是ASML EUV的獨家技術。透過上述晶圓製程的程序，能做出更小且效能更強的晶片。

ASML前總裁Martin van den Brink指出，High-NA EUV機臺的晶圓生產數度每小時達四○○～五○○片，比標準ＥＵＶ的二○○片快二～二．五倍。除了High-NA EUV外，他們已在開發Hyper-NA EUV，持續提高半導體設備製程的效率。High-NA EUV機臺的數值孔徑從○．三三增加到○．五五甚至更高，具高解析度圖像化能力，提高機臺的精確度和更清晰的成像，並大幅提高晶圓的生產速度。High-NA EUV具有上述優點，誰能掌握晶圓代工的精確度和更高生產數量，就能有機會壓過競爭對手。

英特爾這幾年的營運只能以慘澹來形容，甚至在ＡＩ時代逐漸被邊緣化。即便英特爾營運不佳並可能影響到今年的資本支出，卻在昂貴的設備上砸錢不手軟。根據外電報導，ASML現有生產的High-NA EUV機臺全都出口到英特爾的晶圓廠，High-NA EUV機臺每臺售價三．八億美元，比ＥＵＶ機臺貴一倍以上。今年三月英特爾拿到美國政府晶片法案的八五億美元補助和一一○一美元的聯邦貸款，這讓英特爾更有底氣砸錢買設備，希望能在一．八奈米以下製程取得領先地位。

英特爾砸錢買設備

爲此，原本臺積電打算在二六年下半年的一．六奈米再導入High-NA EUV機臺的設備有可能提前，避免遭到英特爾的彎道超車。英特爾現在在高階晶圓代工進度上，持續落後給臺積電和三星電子。英特爾從十奈米、七奈米以後就落後給競爭對手，主要原因在於高階製程良率太低，形成成本太高。（全文未完）

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