臺積資本支出衝上280億美元
臺積電14日宣佈2021年資本支出將提升至250～280億美元，遠遠超越法人預期的200～220億美元，不僅創下歷史新高，同時改寫臺灣科技業單一廠商年度資本支出的新高紀錄。臺積電總裁魏哲家強調，高資本支出主要是看好未來幾年包括5G及高效能運算（HPC）的大趨勢（mega trend）將帶動先進製程強勁需求。
臺積ADR週四早盤飆升逾6％，報126.66美元，再創新高價。
雖然法人認爲，臺積電資本支出大幅提升應與未來承接英特爾處理器的晶圓代工訂單有關，不過臺積電對此不予評論，並說明資本支出大幅提升是基於對未來數年成長的預期所規劃。
臺積電看好未來先進製程的強勁需求，大舉提高2021年資本支出至250～280億美元之間（摺合新臺幣7,000～7,840億元），與2020年相較成長45.0～62.4％。臺積電財務長黃仁昭表示，整體支出的八成將應用在7奈米、5奈米、3奈米等先進製程，一成應用在先進封裝以及光罩製造，一成應用在成熟製程。
臺積電總裁魏哲家強調，高資本支出主要是看好未來幾年包括5G及高效能運算（HPC）的大趨勢將帶動先進製程強勁需求。其中，臺積電爲了維持產業領先地位，會持續擴建極紫外光（EUV）先進製程產能。臺積電3奈米預期2021年風險試產，2022年下半年進入量產，有信心3奈米技術會成爲臺積電另一重要且持久的技術節點。
臺積電的3DFabric先進封裝持續推進，並看好小晶片（chiplet）架構帶來的新成長動能。臺積電已量產CoWoS及InFO等先進封裝，晶片或晶圓堆疊的SoIC技術預計在2022年小量量產，由於HPC運算在頻寬效能、功耗表現等要求高，預期未來幾年來自後段先進封測業務的成長幅度，將稍微超過公司的整體平均。
有關臺積電的海外投資佈局，臺積電董事長劉德音表示，美國亞利桑那州廠現階段以月產能2萬片爲目標，未來也不排除進行下階段擴產計劃，而南京廠原本就有逐步擴充產能規畫，但還沒有具體時間表。至於日前傳出臺積電可能赴日本設廠，劉德音迴應，臺積電只有評估在日本設立材料研發中心，與供應鏈夥伴共同發展3D IC材料，但未做出最終投資決定。
設備業界推估，臺積電2021年資本支出大幅拉高，年底EUV機臺總數可望上看70臺，並擁有全球最大EUV產能。臺積電全力衝刺先進製程產能建置及技術研發，包括家登、漢唐、京鼎、帆宣、弘塑、信紘科、意德士、宜特、閎康等臺積電大聯盟合作伙伴直接受惠，法人亦看好臺積電資本支出概念股2021年營運看旺。