涉向中國外洩DRAM晶片技術 前三星電子工程師被捕
DRAM示意圖。圖/ingimage
韓國警方今天表示,1名前三星電子工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才,加上向中國成都高真科技(CHJS)泄漏20奈米DRAM記憶體晶片技術,遭逮捕並移送檢方。
韓聯社報導,首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天指出,64歲前三星電子(Samsung Electronics)工程師因涉嫌違反「職業安定法」被捕,並移送首爾中央地方檢察廳。
據報導,該男曾以顧問身分參與創立成都高真公司,同時期還在韓國成立獵頭公司,以至少2至3倍的優渥薪資挖角三星電子核心技術人才,協助在中國「復刻」動態隨機存取記憶體(DRAM)工廠,並於2022年4月成功生產半導體晶圓。
這座DRAM工廠從完工到投產僅費時1年3個月。一般來說,晶圓從測試到量產通常需要4至5年。
韓國警方提到,外流技術的經濟價值高達4兆3000億韓元(約新臺幣998億元),若考慮相關經濟效益,實際損失規模更加龐大。
除了這名前工程師,還有以相同手法挖角韓國半導體人才的2位獵頭公司代表及法人被移送法辦。據悉獵頭公司已替成都高真挖角逾30名技術人員。
儘管韓國國家關鍵技術外流,警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。
警方解釋,根據現行法規,以「挖角」方式外流技術的行爲不屬於「產業技術保護法」規定的懲處範圍,因此有必要針對相關法律進行修法,以嚴懲商業間諜。
報導指,包括前三星電子工程師在內,成都高真技術外泄案共有21人遭移送法辦。
成都高真創辦人、前三星電子常務兼前SK海力士(SK Hynix)副社長崔珍奭等人則已被捕,他們涉嫌違反「產業技術保護法」及「防止不正當競爭及商業秘密保護法」。