涉嫌泄漏長鑫存儲資訊 前三星韓國員工遭中國以間諜罪逮捕

曾在中國長鑫半導體工作的前三星韓國員工在跳槽後疑似泄漏業技術機密，遭中國以間諜罪逮捕。（圖／長鑫存儲官網）

韓國駐華大使館表示，一名50歲韓國男子A某因涉嫌「向韓國泄露中國半導體資訊」，被控間諜罪於去年12月被中國警方拘留。這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來，第一起根據該法逮捕韓國人的案件。

《芯智訊》引述韓媒報導說，A某現居安徽省合肥市，在當地一家半導體公司工作，與妻子和兩個女兒一起生活。其曾就職於三星電子半導體部門擔任離子注入技術員20餘年，2016年移居中國，並加入中國最大的存儲晶片製造商長鑫存儲（CXMT），隨後他離開長鑫存儲，又在另外2家中國半導體公司任職。

報導指出，2023年12月18日，合肥市國家安全局的調查人員以間諜罪名逮捕了A先生，並在當地一家酒店隔離審訊了5個多月，隨後於2024年5月被檢察機關移送拘留，預計於2024年11月正式受審。

合肥市國家安全局懷疑，A某在長鑫存儲工作期間曾向韓國泄露長鑫存儲的半導體相關資訊，A某則堅稱自己在中國沒有接觸過任何核心半導體技術。

報導表示，中國新修訂的《反間諜法》於2023年7月生效，新法將間諜行爲的範圍從「竊取國家機密和資訊」擴大到包括轉移任何與「國家安全和利益」有關的文件、資料、材料和物品，即使它們不屬於國家機密範疇。

如果A某在後續審判中被判入獄，他將成爲首位根據中國《反間諜法》受到處罰的韓國人。過去在中國間諜罪的審判通常需要數年時間，具體的刑期達到3-10年或更長時間並不罕見。

韓國駐華大使館官員表示正向被捕韓國人家屬提供領事協助，中國外交部則證實這名韓國人已被逮捕。

據韓媒指出，2023年12月韓國檢察院以涉嫌違反韓國《防止和保護工業技術泄露法》將2兩名從中國返回韓國的前三星電子韓籍員工逮捕，指控他們涉嫌向中國廠商泄露了三星16nm DRAM技術機密。另一起案件當中，三星和SK海力士前高管亦遭指控涉嫌利用竊取的三星DRAM技術在中國建廠而被捕。今年10月初，韓國政府還推出了最新一攬子措施，以追查和懲罰向外國廠商泄漏關鍵技術的行爲，其中已有10起與中國有關。