三星、SK海力士唱旺HBM需求 強化與晶圓廠合作

三星電子記憶體業務總裁李正培（Jung-Bae Lee）。記者簡永祥／攝影

全球前兩大記憶體廠三星、SK海力士昨（4）日同步看好AI催生市場對高頻寬記憶體（HBM）龐大需求，兩大廠均積極推出最新產品，並不約而同強調將強化與其他晶圓廠合作，外界解讀是向臺積電（2330）釋出正向善意。

臺灣國際半導體展（SEMICON Taiwan 2024）昨天開幕，三星、SK海力士首度在臺灣同臺參加論壇，三星由記憶體業務總裁李正培（Jung-Bae Lee）出馬，SK海力士則由總裁Justin Kim進行主題演講。

李正培指出，進入AI時代，記憶體面臨高效能與低能耗挑戰，如I／O數量增加、傳輸速度加快，爲打破現有速度與能耗瓶頸，其中一個方法就是將基礎裸晶外包給晶圓廠採用邏輯製程製造，再透過矽穿孔（TSV）技術與記憶體結合，打造客製化高頻寬記憶體。

李正培預期，該現象將自HBM4後發生，代表記憶體業者、晶圓代工廠與客戶間三方的合作愈趨緊密，三星因具有記憶體、晶圓代工等業務，已經準備好完整解決方案，可滿足客戶一條龍式生產服務。

Justin Kim則說，這是他今年第十次來臺灣，頻率比到其他國家高，因爲臺灣半導體重要性與日俱增，臺灣與韓國應緊密合作，對業務有好處，且可以解決許多挑戰，他並公開表示，SK海力士與臺積電合作。

Justin Kim強調，AI帶動的新革命纔剛開始，生成式AI發展快速，併爲半導體業帶來挑戰，像是要實現通用AI，應解決電力、冷卻及記憶體的挑戰，其中，電力短缺問題，單靠再生能源不足以解決問題，應有小型模組化反應爐。

談到散熱，Justin Kim說明，SK海力士爲此開發高效能、低能耗的AI記憶體產品，其HBM3E是目前最具市場主導力的產品，次世代的HBM4產品將依客戶時間表量產，因應未來發展，SK海力士規劃在韓國打造新設施，將有四座廠，預計2027年量產，力拚成爲世界最先進的半導體聚落之一，可促進與夥伴的合作。

此外，SK海力士還在美國建立生產設施，規劃2028年營運，用以開發先進封裝，並加強與客戶及合作伙伴溝通。