三星電子：2024 推 1cnm 製程 DDR 內存

【9 月 6 日，三星電子 DS 部門展示三星未來內存產品路線圖。】

據韓國先驅報，依照 DDR 內存路線圖，三星計劃於 2024 年內推出 1cnm 製程 DDR 內存，此節點能提供 32Gb 顆粒容量產品。

到 2026 年，三星將推出其最後一代 10nm 級工藝 1dnm，仍最大提供 32Gb 容量。