拚8吋材國產 化合物半導體推二期

經濟部明年起將撥約3億元推動化合物半導體關鍵材料二期。圖爲9月舉辦的SEMICON Taiwan 2023國際半導體展。（本報系資料照片）

俗稱第三類半導體的「化合物半導體」是藍海市場，爲搶佔關鍵材料國產化，經濟部繼扶植6吋晶圓材料發展後，明年起再撥出約3億元推動化合物半導體關鍵材料二期，鎖定下階段主流8吋晶圓，預計扶植6到7家臺廠，進行長晶用石墨坩堝、多晶基板、晶錠切割材等開發，要讓廠商打入供應鏈之中。

第三類半導體主要是碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種晶圓材料，其具有高頻、耐高電壓優點，適合用在5G／6G、電動車、低軌衛星產業上。但其晶圓製程的高成本及低良率，是目前遇到的難題。

發展第三類半導體，關鍵要掌握上游晶圓材料技術。臺灣雖貴爲半導體王國，這塊卻主要是美日垂直整合製造商（IDM）天下，包括美國科銳（Wolfspeed）日本羅姆（ROHM）等，都是SiC基板市場主要供應商。臺灣SiC產業鏈從材料、長晶、磊晶與元件代工都有廠商投入，但與國際能量尚有距離。

行政院科技會報辦公室已擬定2030年，要推動化合物半導體進入8吋時代。經濟部方面爲此配合，從設備、產業發展、關鍵材料三面向提出計劃協助發展，主要鎖定製程設備、關鍵材料兩類，要達成國產化。

晶片製造要先有平穩的基板，這牽涉晶種品質、熱場與坩堝環境。而長出SiC晶錠後，還得接着進行切割、磨平、拋光。因此經濟部2022年推動「化合物半導體關鍵材料計劃一期」，扶植6到7家進行切拋磨、磊晶的材料自主研發商。

但一期主要鎖定6吋SiC晶圓，今年底再公告關鍵材料推動二期，經濟部官員說，這次再編約3億臺幣，從2024進行到2025年，主要補助下階段的8吋SiC晶圓，聚焦長晶用石墨坩堝、多晶AlN基板、晶錠切割材、磊晶／元件製程材料開發。

官員說，計劃目標協助業者掌握影響良率的關鍵原物料，加速國內廠商材料導入市場。未來做出產品後，主要先供應國內製程，成熟後也放眼外銷搶市場。

申請關鍵材料補助業者，需提出投資與計劃效益，經濟部補助最高一半金額。官員強調，爲了技術可以立刻進行商品化應用，申請業者須有能力導入下游廠進行場域驗證或拿採購訂單。