美光拚超車 劍指AI記憶體

美光臺中四廠落成啓用，總統蔡英文（前排左六）親自出席，美光總裁暨執行長梅羅特拉（前排右六）及多位重要政治人物出席。圖／美光提供

臺灣美光臺中四廠啓用的意義

美光HBM3E（高頻寬記憶體）明年第一季在臺量產，將搶攻輝達（NVIDIA）人工智慧超級電腦DGX GH200商機，美光總裁暨執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示，臺中四廠將整合先進探測與封裝測試功能，以量產HBM3E及其他產品，未來十年將創造數百個新的工作機會。

美光全力打造亞洲AI記憶體生態系，美光技術開發事業部資深副總裁陳德拉斯卡（Naga Chandrasekaran）指出，美光重要節點1-beta今年下半年在臺灣落腳，HBM3E樣品開發也在臺灣，並透過臺灣美光的組裝與測試，正式向客戶提供HBM3E樣品。

他指出，臺灣不僅是半導體產業最主要生產地點，臺灣的垂直整合能力、製造網路，使美光得以從晶圓製造、探測到成品組裝一應俱成，繼續鞏固美光的記憶體龍頭地位。

臺灣美光董事長盧東暉分析，美光的優勢是多元分工，這對促進創新非常關鍵，集合美國、印度、日本及臺灣頂尖腦力共同合作。

繼美光宣佈於中國大陸和印度擴大後段封測製程之後，臺中四廠的落成啓用進一步強化了美光遍佈於臺灣、中國大陸、新加坡和馬來西亞的全球封裝與測試網絡。

■1-gamma製程 估2025放量

臺中四廠除生產DDR5的1-beta製程擴大產能外，專攻AI的高頻寬記憶體（HBM3E），預計2024年第一季在臺灣放量，而採用EUV技術量產的1-gamma製程，也正在緊鑼密鼓進行研發，預計2025年首先在臺量產。

此外，美光的HBM3E在美國及印度研發，日本廣島廠做矽晶穿孔，臺灣廠做後段封裝，盧東暉表示，產品送樣後，客戶反應很好，一旦量產將供不應求。

業者指出，DRAM三大業者如三星、SK海力士及美光（Micron），已完成HBM2E產品開發，美光雖較同業約晚一年時間才推出高頻寬記憶體（HBM），但將憑着新世代HBM3E產品彎道超車，有望在HBM競賽中扳回一城，預料美光的HBM3E將卡位輝達明年推出的DGX GH200商機。

HBM3E是由24GB晶粒組裝成8層高度的立方體，相較市面上量產的HBM產品，容量擴大50％，且提供1.2TB/s以上頻寬及卓越功耗效率，相較上一代產品，每瓦效能也是上一代的2.5倍。美光3D堆疊技術，使HBM3E在極有限的空間中，滿足高頻寬與大容量的需求，可直接應用語言模型運算、邊緣運算AI等產品上。