美光領先於SK Hynix 和三星 啓動HBM3E內存的生產

美光科技（Micron Technology）週一表示，該公司已開始批量生產其 HBM3E 內存。該公司的HBM3E已知良好堆棧芯片（KGSD）將用於NVIDIA的H200計算GPU，用於人工智能（AI）和高性能計算（HPC）應用，該產品將於2024年第二季度出貨。

美光透露其正在大規模生產 24 GB 8-Hi HBM3E 設備，每個設備的數據傳輸速率爲 9.2 GT/s，峰值內存帶寬超過 1.2 TB/s。與 HBM3 相比，HBM3E 將數據傳輸速率和峰值內存帶寬提高了 44%，這對於像 NVIDIA 的 H200 這樣對帶寬要求極高的處理器尤爲重要。

NVIDIA 的 H200 產品採用 Hopper 架構，計算性能與 H100 相同。同時，它配備了 141 GB HBM3E 內存，帶寬達 4.8 TB/s，比 H100 的 80 GB HBM3 和 3.35 TB/s 帶寬有了顯著提升。

美光使用其 1β（1-beta）工藝技術生產其 HBM3E，這對該公司來說是一項重大成就，因爲該公司將其最新的生產節點用於數據中心級產品，這是對製造技術的一種考驗。隨着美光即將於 2024 年 3 月發佈 36 GB 12-Hi HBM3E 產品，代表着公司的人工智能內存路線圖得到了進一步鞏固，與此同時這些設備接下來將用於何處還有待觀察。

領先於競爭對手 SK Hynix 和三星開始量產 HBM3E 內存是美光公司取得的一項重大成就，目前美光公司在 HBM 領域佔據 10% 的市場份額。此舉對該公司至關重要，因爲它使美光能夠比競爭對手更早推出高端產品，從而有可能增加收入和利潤率，同時獲得更大的市場份額。

美光科技執行副總裁兼首席業務官 Sumit Sadana 表示："美光在 HBM3E 這一里程碑上實現了三連冠：領先的上市時間、同類最佳的行業性能以及與衆不同的能效特性。人工智能工作負載在很大程度上依賴於內存帶寬和容量，美光通過我們業界領先的 HBM3E 和 HBM4 路線圖，以及我們面向人工智能應用的全套 DRAM 和 NAND 解決方案組合，在支持未來人工智能的大幅增長方面處於非常有利的位置。"