《科技》HBM崛起 記憶體業明年營收戰新高

TrendForce表示，4項驅動DRAM營收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和Server需求復甦。相較一般型DRAM，HBM除拉昇位元需求，也拉高產業平均價格。預估2024年HBM將貢獻DRAM位元出貨量5%、營收20%。

HBM興起等四項驅動推升DRAM營收，TrendForce估計，預估受惠於DRAM均價在2024年增加53%、2025年增加35%的條件下，進一步推升2024年DRAM營收達907億美元、年增75%，2025年達1365億美元、年增51%。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加價值產品的滲透同樣有助提高平均價格。TrendForce估計，DDR5將分別貢獻2024、2025年server DRAM位元出貨量40%、60-65%，LPDDR5/5X會貢獻2024、2025年mobile DRAM位元出貨量50%和60%。

NAND Flash方面，QLC(四級單元；Quad-level cells)大容量Enterprise企業級SSD、UFS(通用快閃記憶體儲存)助益2025年NAND Flash營收創紀錄。

TrendForce估計，2024年NAND Flash營收將達674億美元、年增77%；2025年在大容量QLC Enterprise SSD崛起、smartphone採用QLC UFS、原廠資本支出限縮供給和server需求復甦等4項因素帶動下，NAND Flash營收將達870億美元、年增29%。北美CSPs已開始在inference AI server大量採用QLC enterprise SSD，尤其是大容量規格。TrendForce預估，QLC將貢獻2024年NAND Flash位元出貨量20%，此比重2025年將再提升。在smartphone應用，QLC預計逐步滲透UFS市場，部分中國smartphone業者預計於2024年第四季起採用QLC UFS方案，Apple則預計2026年開始導入至iPhone。

TrendForce表示，記憶體產業營收創紀錄下，原廠將有足夠現金流加速投資。預估2025年DRAM、NAND Flash產業資本支出分別年增25%、10%，且有機會上修。此外，記憶體生產規模提升將帶動對矽晶圓、化學品等上游原料需求，但相反的，記憶體價格上漲將增加電子產品成本，ODM/OEM業者較難完全將成本反映在零售價上，利潤勢必將被壓縮，終端銷量也可能受到壓抑，導致需求下滑。