決勝新武器 臺積將設1.8奈米廠

臺積電在臺灣12吋超大型晶圓廠佈局

護國神山出決勝新武器。臺積電先進製程晶圓廠根留臺灣,其中2奈米Fab 20超大型晶圓廠已選定建廠地點爲新竹寶山,2奈米之後的更先進製程已進入埃米(angstorm)時代,預期臺積電將推進到18埃米(1.8奈米),雖然尚未決定設廠地點,但據設備業者指出,臺積電18埃米先進製程晶圓廠可望落腳臺中,現在中科Fab 15廠旁的高爾夫球場已被納入考慮。

隨着半導體制程將於2024年進入埃米時代,臺積電的建廠動向受到業界及市場矚目,市場傳出臺積電下一座先進製程晶圓廠可望落腳臺中,現在中科Fab 15廠旁的興農高爾夫球場及軍方用地已納入考慮,臺積電若取得用地,將用於建置2奈米以下先進製程的超大型晶圓廠區,並分爲第一期到第四期建廠計劃,等於會在當地興建4座12吋晶圓廠。

臺積電表示,設廠地點選擇有諸多考量因素,臺積公司以臺灣作爲主要基地,不排除任何可能性,維持過去擴廠步調持續與管理局合作評估適合半導體建廠之用地,包含新竹、臺中及高雄。目前尚無具體定案,一切以公司對外公告爲主。

臺積電已確認的先進製程晶圓廠建廠計劃,包括南科Fab 18超大型晶圓廠(GigaFab)將建置P1~P4共4座5奈米晶圓廠,P5~P8共4座3奈米晶圓廠。其中P1~P3廠已進入量產,P4~P6廠正在興建中,未來將再擴建P7~P8廠。另外,南科Fab 14超大型晶圓廠將擴建P8廠爲特殊製程生產基地。

臺積電竹科Fab 12超大型晶圓廠將擴建P8~P9廠爲研發中心,P8廠將在今年完成。臺積電預計在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠,將在完成土地取得後啓動建廠計劃,未來將成爲2奈米生產重鎮。

臺積電Fab 20廠區將分爲第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠,預計2024年下半年進入量產。臺積電2奈米制程將採用奈米層片(Nanosheet)的環繞閘極(GAA)電晶體架構,技術開發進度符合預期。

設備業者表示,臺積電2奈米之後的先進製程節點,將推進到1.8奈米(18埃米),預計2026~2027年進入量產。臺積電先進製程晶圓廠根留臺灣,但適合建廠地點並不好找,而位於臺積電中科Fab 15廠區旁的高爾夫球場及周邊軍方用地已納入考慮,倘若環評通過並順利取得用地,臺積電可能會在當地興建18埃米先進製程晶圓廠。