晶合集成申請芯片上鈍化層裂縫的檢測方法及芯片良率的確定方法專利,能夠檢測出鈍化層裂縫貫穿氮化硅層但未貫穿氧化硅層的這種缺陷。
金融界2024年7月3日消息,天眼查知識產權信息顯示,合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名爲“芯片上鈍化層裂縫的檢測方法及芯片良率的確定方法“,公開號CN202410670976.3,申請日期爲2024年5月。
專利摘要顯示,本申請公開芯片上鈍化層裂縫的檢測方法及芯片良率的確定方法,鈍化層包括氮化硅層和與氮化硅層接觸的氧化硅層,氧化硅層還接觸芯片的金屬層,檢測方法包括:將芯片浸入加熱的氫氧化鉀溶液內,以使加熱的氫氧化鉀溶液在通過氮化硅層的情況下腐蝕氧化硅層而進入金屬層;將芯片置於顯微鏡下觀察金屬層的顏色以確定鈍化層是否有裂縫。本申請能夠檢測出鈍化層裂縫貫穿氮化硅層但未貫穿氧化硅層的這種缺陷。
本文源自:金融界
作者:情報員
相關資訊
- ▣ 中科曙光申請彈片鍍層檢測方法與裝置專利,能夠降低檢測彈片上鍍層厚度時的探頭聚焦難度
- ▣ 本鋼板材申請一種檢測複合碳化硅中碳化硅含量的方法專利,只需實驗室基礎設備,重現性好,檢測成本低,檢測結果準確
- ▣ 弘元綠能申請一種碳化硅半導體切片機牀及其製備方法專利,保證對碳化硅半導體的切片效率
- ▣ 宏博特科技取得一種具有二氧化硅包覆層的稀土硫化物及製備方法專利,該方法獲得的稀土硫化物具有較好的穩定性
- ▣ 天合光能申請太陽能電池專利,效果可以兼顧對載流子的收集效果和鈍化接觸層對電池的表面鈍化效果
- ▣ 晶合集成取得一項半導體芯片測試電路結構專利,能提高半導體芯片的缺陷或腐蝕的檢測效率
- ▣ 臺積電申請集成芯片和用於形成集成芯片的方法專利,提高集成芯片的性能
- ▣ 東旭集團申請“一種製備碳化硅外延石墨烯的方法和坩堝及其應用”專利,該方法制備的碳化硅外延石墨烯質量高
- ▣ 盛科通信-U申請芯片測試系統及方法專利,提高芯片測試效率,且成本低
- ▣ 晶科能源申請光伏組件層壓系統及層壓方法專利,提升光伏組件的發電功率
- ▣ 合肥瀚齊生物科技申請一種壓片糖果的質量快速檢測專利,快速檢測含裂紋壓片糖果並確定其裂紋成因
- ▣ 凌雲光申請缺陷檢測方法和計算機設備專利,實現對電池片的質量的檢測和評估
- ▣ 上海家化申請具有層狀液晶結構的組合物專利,提供在化妝品中的應用
- ▣ 龍迅股份取得一種芯片測試方法及系統專利,提高芯片測試效率。
- ▣ 在空氣中可規模化製備鈣鈦礦/晶體硅疊層太陽電池的溶劑工程方法提出
- ▣ 亞輝龍取得芯片檢測系統專利,此專利技術能夠適用於不同尺寸的芯片本體的檢測
- ▣ 北京大學申請“一種芯片基板及其製備方法、功能芯片“專利,提高芯片的性能和可靠性
- ▣ 農業銀行申請故障檢測方法及裝置專利,能提高故障檢測的效率和準確性
- ▣ 龍芯中科申請芯片、芯片測試方法、電子設備以及存儲介質專利,大大減少測試成本
- ▣ 復旦微電申請晶圓芯片多路並測裝置及方法專利,可以快速高效地排除各處異常測試通路的晶圓芯片
- ▣ 農業銀行申請缺陷檢測專利,提高缺陷檢測的算法適應性和檢測結果準確性
- ▣ 華虹半導體(無錫)申請晶圓測試缺陷芯片標記專利,提升芯片缺陷標記效率
- ▣ 金力新材取得一種陶瓷合金複合耐磨耐高溫剎車片製備方法的專利,改善了氧化鋯纖維與碳化硅陶瓷粉料界面結合力弱的缺陷
- ▣ 北京智芯微申請安全芯片的算法測試專利,解決現有安全芯片算法測試問題
- ▣ 小米申請應用程序的自動化測試方法及裝置專利,實現應用程序的自動化測試
- ▣ 惠洲院申請基於遺傳優化算法的礦井前方斷層Kirchhoff偏移成像方法專利,保留了Kirchhoff方法的優點以及提高了計算精度
- ▣ 芯源微申請膜層剝離方法專利,有利於提高產品質量
- ▣ 凌瑋科技申請光學薄膜用二氧化硅開口劑的製備方法專利,光學薄膜用二氧化硅孔容大、粒徑小、電導率低,有很好的開口性和透明性
- ▣ 臺積電申請集成電路芯片及其形成方法專利,有助於形成集成電路芯片