晶背供電商機 中砂搶頭香

圖／美聯社

各家晶背供電解決方案比較

晶背供電（backside power delivery，BSPD）可望成爲埃米世代顯學，英特爾（Intel）將率先於2025年導入Intel 18A製程，且已於Intel 4展示，臺積電（2330）則計劃在2026年下半年A16製程起導入。法人指出，臺系業者中砂（1560）搶頭香，今年底將有初步成果。

法人分析，晶背供電對晶圓厚度要求較高，估計在CMP（化學機械研磨）製程增加下，日商Ebara（荏原精密）受惠程度最高，臺灣設備廠如天虹科技也有能力提供ALD解決方案；材料方面，則以中砂之鑽石磨盤爲最大受惠者。

BSPD不但爲電晶體電源線的設計方法，相對於正面供電，BSPD能源效率較佳、電壓降較低，更適合HPC（高效能運算）應用。

不過該技術具有較高的進入障礙和成本，目前僅臺積電、英特爾、三星投入BSPD技術開發。其中，英特爾將於明年下半年發表使用BSPD於Intel 18A；臺積電緊追其後，規劃爲A16開始採用，三星則預計在2027年導入SF2Z。

新制程分別搭配GAA（環繞式閘極）或RibbonFET（最新的電晶體架構），臺積電及英特爾都將迎來技術升級，臺積電名爲超級電軌技術（Super power rail）將電源傳輸線直接連接到晶體管的源極和汲極、提高晶片效率；英特爾則稱之爲Powervia，使用奈米矽穿孔（nano TSVs）將背面電源網絡連接到電晶體的接觸層。

相關供應鏈透露，與IDM客戶合作需經過長時間認證，中間也有許多挑戰克服，尤其是先進技術需要從點到線逐漸突破。以鑽石碟、乘載晶圓業者中砂而言，送樣產品陸續增加，而每樣產品依照製程難度需耗時半年至一年的時間不等，預估今年底會有初步結果。

CMP製程用量平均每世代會增加5％～10％，越先進增加的速度越快，甚至超過10％；二奈米即較三奈米用量成長10％，A16導入晶背供電後將成長更多。