更小、更省電！三星二代10nm級8GB手機記憶體或將用於Note 9
三星電子宣佈開始批量生產業界首款10nm級LPDDR4X DRAM，功耗比前代降低10%、體積更小，同時保持4,266Mbps速度，同時預告將爲今年晚些或2019年初的智慧型手機所採用。
根據介紹，三星將擴大其基於10nm工藝的 DRAM產品線，這次推出的晶片主要透過四個10nm級16Gb LPDDR4X DRAM晶片組合一個8GB LPDDR4X的四通道行動DRAM封裝，可以實現每秒34.1GB的數據速率，其厚度從第一代封裝產品減少了20％以上、功耗降低10%。
隨着10nm級LPDDR4X的推出，三星已經開始在韓國平澤市打造一條新的DRAM生產線，以確保所有移動DRAM芯片的穩定供應，預計提供4GB、6GB和8GB LPDDR4X封裝產品。
三星DRAM銷售高級副總裁Sewon Chun在官方資訊當中指出，10nm級DRAM的問世將爲下一代旗艦行動設備提供顯著增強的解決方案，預計將於今年晚些或2019年上半年首次上市，依照產品發表時間，率先採用該產品的手機，將會是Galaxy Note 9 以及 Galaxy S9系列。
＊資料來源：Samsung