大突破 陸制DUV光刻機 可生產65奈米以下晶片

荷蘭政府近日才提高產業巨頭艾司摩爾（ASML）旗下兩款先進製程曝光機設備的出口限制，被認爲是針對中國大陸而設。大陸在曝光機研發的最新進展，無異是爲相關領域打了一劑強心針。

新浪財經報導，上述通知目錄中的「積體電路生產裝備」項目，列出了氟化氪光刻機和氟化氬光刻機。

工信部資訊顯示，氟化氬光刻機使用波長爲193奈米的雷射作爲光源，具備極高的解析度（小於或等於65奈米）和精準的套刻精度（小於或等於8奈米），可用於製造先進製程的晶片。

芯智訊引述專家指出，氟化氪光刻機是老式的248奈米光源的KrF光刻機，解析度爲小於或等於110奈米，套刻精度小於或等於25奈米；氟化氬光刻機則是193奈米光源的ArF曝光機（也被稱爲DUV曝光機），但披露的這款依然是乾式DUV曝光機，而非更先進的浸沒式DUV曝光機（也被稱爲ArFi曝光機）。

從官方披露的參數來看，該DUV曝光機解析度爲小於或等於65奈米，套刻精度小於或等於8奈米。雖然相比之前上微的SSA600曝光機有所提升（解析度爲90奈米），但是仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度，更達不到製造8奈米、7奈米晶片的程度。

另外，消息指出，大陸國產氟化氬光刻機的研發，主要由中微半導體、上海微電子裝備集團進行研發，中國科學院微電子研究所也有重要貢獻。上海微電子曾完成大陸首臺氟化氬（ArF）光刻機研製，並實現產品流片，且在2023年初，市場就傳出上海微電子已在着手研發第二代浸沒式曝光機。