中芯國際取得半導體結構及半導體結構形成方法專利
金融界2024年11月25日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造(上海)有限公司、中芯國際集成電路製造(北京)有限公司取得一項名爲“半導體結構及半導體結構的形成方法”的專利，授權公告號 CN 113497149 B，申請日期爲2020年4月。
本文源自：金融界
作者：情報員
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