中微半導體申請一種基座組件和化學氣相沉積裝置專利，用於解決托盤中心與邊緣之間溫差大的問題

金融界2024年12月17日消息，國家知識產權局信息顯示，中微半導體設備（上海）股份有限公司申請一項名爲“一種基座組件和化學氣相沉積裝置”的專利，公開號 CN 119121191 A，申請日期爲2023年6月。

專利摘要顯示，本發明提供一種基座組件和化學氣相沉積裝置。所述基座組件包括：托盤，用於承載基片；加熱器，位於所述托盤下方，用於加熱所述托盤；襯套，其環繞所述加熱器，所述襯套的主體的外徑大於等於所述托盤的外徑，所述主體的部分上表面向上延伸形成支撐臺，用於支撐所述托盤；所述支撐臺的側壁和所述主體的上表面形成容許機械臂進入的取放槽，所述取放槽至少部分位於所述托盤下方，用於舉升所述托盤。本發明用於解決托盤中心與邊緣之間溫差大的問題，提高基片薄膜沉積的均勻性，以及延長托盤的使用壽命。

本文源自：金融界

作者：情報員