英特爾、聯電合作進軍12奈米 集邦科技：降低投資成本

聯電位於竹科總部。圖/聯合報系資料照

英特爾（Intel）與聯電（2303）於昨（25）日正式宣佈合作開發12奈米制程平臺。研調機構集邦科技（TrendForce）認爲，此合作案藉由聯電提供多元化技術服務、英特爾提供現成工廠設施，採雙方共同營運。不僅幫助英特爾銜接由 IDM 轉換至晶圓代工的生意模式，增加製程調度彈性並獲取晶圓代工營運經驗。

而聯電也不需負擔龐大的資本支出即可靈活運用 FinFET 產能，從成熟製程的競局中另謀生路，同時藉由共同營運英特爾美國廠區，間接拓展工廠國際分佈，分散地緣政治風險，此應爲雙贏局面。

集邦科技表示，爲減少廠務設施的額外投資成本，直接銜接現有設備機臺，並有效控制整體開發時程，故本次兩家業者針對12奈米 FinFET 製程的合作案，選擇以英特爾現有相近製程技術的位在亞利桑那州的錢德勒廠 Fab22／32爲初期合作廠區，轉換後產能維持原有規模，雙方共同持有。

在此情況下，集邦科技預估，所產生的平均投資金額相較於購置全新機臺，可省下逾80％，僅包含設備機臺移裝機的廠務二次配管費，以及其相關小型附屬設備等支出。

合作案宣佈後，聯電方面，在提供12奈米技術部分IP協作開發的同時，也會協助英特爾洽談晶圓代工生意。聯電不僅可利用現成 FinFET 產能而不需攤提龐大的投資成本，又可在中國廠成熟製程的激烈競局當中脫穎而出。英特爾方面，則以提供現有工廠設施，除了可獲得晶圓代工市場經驗，擴大製程彈性及多元性，亦可集中資源於3奈米、2奈米等更先進的製程開發。

集邦科技預期，若後續合作順利，英特爾可能考慮未來再將1～2座1X奈米等級的 FinFET 廠區與聯電共同管理；推測相近製程的愛爾蘭 Fab24、奧勒岡 D1B／D1C 爲可能的候選廠區。

不過，做爲主要技術IP提供者的聯電，其14奈米自2017年至今尚未正式大規模量產，12奈米目前也仍在研發階段，預計2026下半年將進入量產；因此雙方的合作量產時程暫訂於2027年，FinFET 架構技術穩定性仍待觀察。

整體而言，集邦科技認爲，在成熟製程深耕多年的聯電，與擁有先進技術的英特爾共同合作下，雙方除了在10奈米等級製程獲得彼此需要的資源，未來在各自專精領域上是否會有更深入的合作值得關注。