英諾賽科向港交所邁進:稀缺的IDM半導體企業 氮化鎵功率半導體引領者

（原標題：英諾賽科向港交所邁進:稀缺的IDM半導體企業 氮化鎵功率半導體引領者）

近日,全球氮化鎵行業領導者英諾賽科向聯交所遞交上市申請,聯席保薦人爲中金公司、招銀國際。

其招股書顯示,英諾賽科專注於第三代半導體氮化鎵的應用與研發,是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司、全球最大的8英寸硅基氮化鎵器件製造商,也是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。

全球少有的IDM半導體企業

爲了能夠對設計、製造到測試的整個過程進行自主控制,英諾賽科採用IDM業務模式。據悉,由於在規模投入和運營成本等方面的門檻較高,至今全球範圍內僅有極少數企業能夠維持IDM運作模式。

在IDM模式下,公司的研發及製造工作在整個產品開發及交付過程中能夠實現無縫協調,主要產品在全流程控制中實現了標準化生產,使其能夠滿足廣大客戶的需求,並迅速擴大生產規模。同時,基於對氮化鎵技術的持續優化,公司能夠實現公司更有效地管理成本,從而能夠採用更具競爭力的定價,進一步凸顯公司的競爭優勢。

根據弗若斯特沙利文的資料,按收入計,英諾賽科於2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。截至2023年12月31日,英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地,產能達到每月10,000片晶圓。相較於6英寸硅基氮化鎵晶圓,公司先進的量產技術亦使晶圓晶粒產出數增加80%,單一器件成本降低30%,體現了其在成本控制與生產效率上的絕對優勢。

全球化佈局 氮化鎵出貨量全球第一

公司在發展中國內地市場的同時,不斷拓展境外市場。公司在蘇州、珠海建立工廠的同時,還在硅谷、首爾、比利時等地設立子公司,2023年公司境外銷售收入近人民幣5800萬元,佔同期總收入近10%。全球化的業務佈局,有助於迅速提升公司的知名度與全球影響力,推動公司業務的持續高速發展。

此外,公司在全球有約700項專利及專利申請,涵蓋芯片設計、器件架構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。憑藉在GaN技術方面的全面專業技術,英諾賽科提供高性能及可靠的GaN分立器件,產品研發範圍覆蓋15V至1,200V的低、中及高電壓範圍,並提供不同的封裝選擇。

截至2023 年12 月31 日,英諾賽科氮化鎵分立器件累計出貨量超過5 億顆,系目前全球氮化鎵出貨量最大的企業。根據弗若斯特沙利文的數據,公司已在氮化鎵應用的多個子領域取得突破,使我們成爲唯一一家與全球主要公司進行供應合作的中國氮化鎵半導體芯片公司。在2023年,英諾賽科已向中國內地和海外(包括亞洲、歐洲和北美)約100名客戶提供了氮化鎵產品。