武漢敏芯申請光電二極管的製備方法和光電二極管專利，可反向減小光電二極管的芯片尺寸

金融界2024年12月12日消息，國家知識產權局信息顯示，武漢敏芯半導體股份有限公司申請一項名爲“光電二極管的製備方法和光電二極管”的專利，公開號CN 119108455 A，申請日期爲2024年8月。

專利摘要顯示，本申請提出了一種光電二極管的製備方法和光電二極管，該方法包括：將P歐姆接觸層刻蝕爲P歐姆接觸塊；在當前表層生長擴散阻擋膜；在擴散窗口層形成擴散孔；執行Zn擴散處理，使第一區域形成高摻雜P+‑INP的擴散區；在當前表層生長抗反射膜；對P歐姆接觸塊以及P歐姆接觸塊臨近的部分擴散區進行抗反射膜腐蝕處理，得到P窗口，P窗口的形狀爲塊狀；在P窗口處引出P電極，並在襯底層的外表面設置N電極，P電極的形狀爲塊狀，P電極所在的第二區域覆蓋P窗口所在位置第二區域與光電二極管的光敏面所覆蓋的第三區域非環繞式相鄰。本技術方案可將更多的面積釋放給光敏面，若光敏面面積一定則可反向減小光電二極管的芯片尺寸。

本文源自：金融界

作者：情報員