無錫翔域半導體取得用於離子注入機的磁流體密封機構專利，使磁流體補充操作無需人工且簡單方便

金融界2024年10月30日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫翔域半導體有限公司取得一項名爲“一種用於離子注入機的磁流體密封機構”的專利，授權公告號 CN 221880230 U，申請日期爲2024年3月。

專利摘要顯示，本實用新型公開了一種用於離子注入機的磁流體密封機構，涉及真空密封裝置技術領域，包括密封裝置本體；所述密封裝置本體包括外殼、轉軸、永磁體、磁極；所述外殼內側壁與轉軸的外側壁轉動連接；本實用新型是通過磁極的內側壁設有一組空心狀存儲管，使磁流體在永磁體和一對磁極的作用下充滿密封間隙時，磁流體會覆蓋在存儲管的外側壁上，且通過存儲管的外側壁設有圓形通槽，使存儲管中可以存儲磁流體，使磁流體損耗到一定程度導致磁流體較爲薄弱時，在壓強的作用下存儲管中的磁流體會從圓形通槽中流出，填補較爲薄弱處，使磁流體不易因損壞過多而無法產生密封效果，使本裝置補充磁流體的操作無需人工，且較爲簡單方便。

本文源自：金融界

作者：情報員