提升SoC效能 愛普＊ 矽電容獲客戶驗證

愛普*新一代S-SiCapTM Gen3超越傳統電容，電容密度更高、更薄、應用更多元，可搭配先進封裝製程，大幅提升SoC效能，在目前市場上極具優勢。

該產品具備超高電容密度及超薄（＜100um薄度）等優勢，可在先進封裝製程中與系統單晶片（SoC）進行彈性客製化整合，滿足客戶在高階手機及高效能運算（HPC）晶片的應用需求。

愛普*的S-SiCapTM，使用先進的堆疊式電容技術（Stack Capacitor）開發，相比傳統深溝式電容技術（Deep Trench Capacitor）的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩定性。

S-SiCapTM Gen3的電容值密度可達2.5uF／mm2，操作電壓最高可支援1.2V，同時具有相當低的等效串聯電感（Equivalent Series Inductance）及等效串聯電阻（Equivalent Series Resistance），在高頻操作下能提供優異的穩壓能力。

S-SiCapTM具有超薄、客製化尺寸的特色，在先進封裝製程中，能滿足多樣整合應用，並且與SoC更接近。

例如：接腳側矽電容（S-SiCapTM on the landside）、封裝基板內埋矽電容（S-SiCapTM embedded in package substrate）、2.5D封裝應用矽電容（S-SiCapTM for 2.5D packaging）、矽電容中介層（S-SiCapTM in an interposer）等。