臺積論壇 N3E秘密武器上場

臺積電技術論壇臺灣場次將於23日在新竹盛大登場。圖／本報資料照片

臺積電先進封裝廠區主力技術

繼臺積電發表A16技術後，臺積電技術論壇臺灣場次將於23日在新竹盛大登場。半導體業者指出，受惠蘋果推出M4搭載AI神經網路晶片，幕後大功臣就是由臺積電引入FinFLEX技術的3奈米次世代工藝所打造，預料該秘密武器將在本次會議中，再次吸引外界高度矚目。

外資今年大買臺積電40.87萬張，市值站穩21兆大關，佔臺股市值比重逾32％，本益比21.7倍，爲AI龍頭族羣中本益比偏低標的。

蘋果M4晶片是目前臺積電3奈米節點製程的代表作，凸顯臺積電在先進製程上的領先地位；相比臺積電3奈米家族之N3B，N3E製程通過簡化流程和放寬部分參數，提高良率和產能，是臺積電5奈米跨向3奈米的重要一步。

雖然N3E電晶體密度未如N3B大幅提升，但引入FinFLEX技術，達到平衡性能和功耗的要求，同樣提供M4晶片出色效能。

業界表示，臺積電利用FinFLEX技術讓晶片設計人員可在一個模組內混搭不同類型的標準單元，並針對客戶需求，最佳化效能、功耗、面積（PPA）配置。

業者強調，這樣應用可直接對接當下需要大量核心CPU和GPU的客製化需求；臺積電同時也於技術論壇提出下世代NanoFlex技術，將透過調整標準元件高度，設計客戶所需要的面積功耗及效能，更被臺積電自許爲偉大創新，預計將在2奈米市場繼續領先。

臺積電也透露，2奈米制程技術在解決對節能運算永無止境的需求方面領先業界，幾乎所有的AI創新者都正在與臺積電合作。

根據臺積電公開數據，N3E在SRAM層面大致與5奈米同一水準；不過邏輯電路密度更高，但也低於N3B。據業內人士透露，N3B相較N5的縮放大約是0.88倍左右，而N3E只有0.94倍左右。

未來在3奈米家族，臺積電也持續推出N3P、N3X等製程，進一步優化3奈米節點上的性能；另外2奈米臺積電也推出繼Nanosheet之後的NanoFlex，預估將於技術論壇中被大量提及，同樣透過在相同的設計區塊中優化高低元件組合，調整設計進而在應用的功耗、效能及面積之間取得最佳平衡。