臺積電製程持續領先 推出20奈米
▲臺積電9日宣佈推出20奈米及CoWoSTM參考流程，協助客戶實現下一世代晶片設計。(圖／臺積電提供)
臺積電先進製程持續領先，9日宣佈，領先業界成功推出支援20奈米制程與CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)技術的設計參考流程，展現了該公司在開放創新平臺(Open Innovation Platform, OIP)架構中支援20奈米與CoWoS技術的設計環境已準備就緒。
臺積電20奈米參考流程採用現行經過驗證的設計流程協助客戶實現雙重曝影技術(Double Patterning Technology, DPT)，藉由雙重曝影技術所需知識的佈局與配線(Place and Route)、時序(Timing)、實體驗證(Physical Verification)及可製造性設計(Design for Manufacturing, DFM)，電子設計自動化(EDA)領導廠商通過驗證的設計工具能夠支援臺積公司20奈米制程；通過矽晶片驗證的CoWoS參考流程則能夠整合多晶片以支援高頻寬與低功耗應用，加速三維積體電路(3D IC)設計產品的上市時間，晶片設計業者亦受惠於能夠使用電子設計自動化廠商現有的成熟設計工具進行設計。
臺積電研究發展副總經理侯永清博士表示，這些參考流程完整地提供了晶片設計業者臺積電先進的20奈米與CoWoS技術以協助他們儘早開始設計開發產品，對於臺積電及其開放創新平臺設計生態環境夥伴而言，臺積電的首要目標在於能夠及早並完整地提供先進的矽晶片與生產技術給臺積電的客戶。