OPPO Find X8發佈，英諾賽科爲其注入AllGaN黑科技

10月24日，全球領先的智能終端製造商OPPO發佈了最新的旗艦手機 Find X8/X8 pro，主打輕薄直屏和影像旗艦，天璣9400處理器與潮汐引擎的超強配置，配合冰川電池與極速充電技術，能夠爲用戶帶來流暢的操作體驗和持久的續航表現。

據瞭解，OPPO 此次發佈的Find X8/X8 pro系列手機採用了英諾賽科全鏈路氮化鎵（AllGaN）技術，從電源側的快速充電（80W超級閃充和50W無線充）到手機內部主板的充電過壓保護（OVP），均採用了英諾賽科氮化鎵。

據悉，英諾賽科是全球功率半導體革命的領導者，也是全球最大的氮化鎵芯片製造企業。公司採用IDM全產業鏈商業模式，並在全球範圍內首次實現了先進的8英寸氮化鎵量產工藝，是全球氮化鎵行業的龍頭企業，於2023-2024年，連續2年入選“胡潤全球獨角獸榜”。

英諾賽科的氮化鎵產品用於各種低中高壓應用場景，產品研發範圍覆蓋15V至1200V，涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組，併爲客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今，英諾賽科擁有近700項專利及專利申請，產品可廣泛應用於消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等前沿領域。

全鏈路氮化鎵（AllGaN）技術

第三代半導體氮化鎵材料具備高能效、高頻率的特性，能夠打造體積更小、充電更快且安全性更高的產品。

OPPO 在Find X8/X8 pro系列手機主板充電過壓保護和50W無線充產品中，採用了英諾賽科40V雙向導通芯片VGaN，一顆替代兩顆背靠背的 Si MOS，大大簡化了內部空間，使產品設計更加輕薄。同時，VGaN 具備雙向導通或關斷的特性，能在手機充電過程中對電池進行主動保護，增強了安全性和使用壽命。50W無線充更是滿足了用戶隨時隨地快速充電的需求。

充電側的超級閃充則採用了英諾賽科高壓GaN，該芯片採用TO-252 封裝，阻抗更低，散熱更強，效率更高。根據 OPPO 官方數據對比，採用英諾賽科高壓 GaN 的80W 超級閃充與此前標配的80W適配器相比，體積減小約18%，隨身攜帶更方便。

全球領先的智能終端製造商選擇與英諾賽科長期深度合作，體現了其對創新技術和產品性能的信心和決心。據瞭解，該廠商已有多個系列產品（包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充）的主板和充電器均採用了英諾賽科 AllGaN 技術，實現了產品性能與競爭力的領先。

氮化鎵賦能未來，共促行業創新

氮化鎵材料以其高頻、高電子遷移率、強抗輻射能力及低導通電阻等卓越特性，正逐步改變功率半導體行業格局。權威機構預測，2023年至2028年間，全球氮化鎵功率半導體市場規模將實現指數級增長，複合年增長率高達98.5%，市場潛力巨大。

作爲全球功率半導體革命的先驅，英諾賽科持續引領氮化鎵功率半導體行業進入加速發展階段，弗若斯特沙利文預計至2028年，全球市場規模將達到501.4億元人民幣。

佔據優勢賽道，據悉，英諾賽科最近三年業務高速增長，收入由2021年的6821.5萬元（人民幣，下同）增加至2023年的5.9億元，2021年-2023年，收入複合年增長率高達194.8%。

一方面全球氮化鎵下游應用進入爆發期，需求端強力拉動，另一方面得益於公司長期富有遠見的戰略佈局，英諾賽科採用IDM模式，在產品設計、工藝製造、測試及下游應用等方面持續大量投入，確立了獨特且無可比擬的技術領先地位及綜合運營優勢，能夠有效滿足市場強勁需求。

作爲第三代半導體氮化鎵革命的領導者，未來，英諾賽科將持續深耕，期待以更加卓越的技術，助力更多行業廠商，打造更極致更優質的產品，共同推動行業創新及應用。