南科大在深紫外Micro LED與超寬色域顯示技術取得進展
近日,由南方科技大學電子系、香港科技大學先進顯示與光電子國家重點實驗室、中科院蘇州納米所組成的聯合攻關團隊在深紫外Micro LED與超寬色域顯示技術領域取得 進展,相關結果發表於電子領域頂級期刊IEEE Electron Device Letters。
基於AlGaN的深紫外Micro LED在光電與顯示、生物醫學、大健康等領域備受矚目。在本研究中,研發團隊設計並製備了不同規格的深紫外Micro LED陣列器件,像素尺寸從10×10 μm2 到200×200 μm2,其中10×10 μm2 的Deep-UV Micro LED在連續波發光情況下,最高亮度達到了185W/cm2,最高外量子效率達到了3.43%,是目前同類型深紫外Micro LED器件的最高外量子效率。
此外,該研究採用深紫外Micro LED陣列作爲激發源,採用色轉換的方法使三色量子點薄膜發光,達到了Rec. 2020標準121%(或爲NTSC標準179%)的超寬色域,這是目前已知顯示技術中報道的最寬色域值,展現了該技術在未來新型顯示領域的應用中具有很大的潛力。
原文題目:AlGaN-based Deep-UV Micro LED Array for Quantum Dots Converted Display with Ultra-wide Color Gamut
通訊作者:南方科技大學電子系 Zhaojun Liu (e-mail: liuzj@sustech.edu.cn)
論文作者:Feng Feng, Ke Zhang, Yibo Liu, Yonghong Lin, Ke Xu, Hoi Sing Kwok, and Zhaojun Liu
來源:南方科技大學
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