良率超中國臺灣廠，臺積電亞利桑那工廠進展比想象好

臺積電美國工廠試產良率趕超臺灣本廠。

週五，據彭博社援引知情人士消息，臺積電美國分部總裁Rick Cassidy於週三透露，臺積電亞利桑那工廠的試產良率已超出其中國臺灣同級廠房約4個百分點。

良率指生產芯片中合格產品的比例，是半導體行業的關鍵衡量標準之一。一般來說，良率越高，生產率越高。

在上週的財報電話會上，臺積電董事長魏哲家曾表示：

根據規劃，臺積電將在美國亞利桑那州鳳凰城建設三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是4nm製程晶圓廠，晶圓二廠則是3nm晶圓廠，三廠則預計在本世紀20年代底（2029-2030年）採用2nm或更先進的製程技術進行生產。

臺積電原計劃在2024年讓其首座亞利桑那州工廠全面投產，但由於缺乏熟練工人，將這一目標推遲到了2025年，並將二廠的啓動日期從2026年推遲至2027-2028年。這一舉措曾引發對臺積電美國工廠生產效率的擔憂。

目前，魏哲家對美國工廠前景持樂觀態度，他在上週的電話會上表示：