《科技》日半導體設備出口新制 不利陸先進製程佈局

中國大陸自美、日、荷進口半導體設備金額佔比合計逾6成,美國對此聯手日本、荷蘭,將更有效牽制中國大陸半導體產業發展。據此,美國與日本、荷蘭在2023年1月底達成半導體設備出口管制協議,並促使日本祭出半導體設備出口管制政策。

日本於3月公告修訂「外匯及對外貿易法」,5月23日公告23項半導體設備出口管制措施,並自7月23日正式實施。DIGITIMES研究中心分析師賴琇菱表示,日本出口管制近半與薄膜製程設備有關,但該類設備牽涉製程廣泛。

賴琇菱認爲,日本對於先進製程部分沉積設備、應用在40奈米以下製程的原子層沉積(ALD)設備、多重曝光(multi-patterning)所需的硬質光罩沉積設備等產品,將優先進行出口管控。

賴琇菱提及,在微影設備出口管制部分,浸潤式深紫外線(DUV)微影設備出口恐受影響。而日本無EUV微影設備,因此管制將鎖定極紫外光(EUV)光罩沉積設備、EUV製程塗布及顯影相關設備,以及檢測EUV設備的空白光罩或可曝光光罩的檢測設備等。

賴琇菱指出,日本這項措施不只在EUV的周邊配套設備上對中國大陸產生箝制力量,目前日本是中國大陸半導體設備的最大進口來源,佔中國大陸的半導體設備進口金額達3成,這項管制措施被視爲日本明確表態與美國、荷蘭站在同一陣營的表現。